WSD2090DN56 Kênh N 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD2090DN56 Kênh N 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Mô tả ngắn:


  • Số mô hình:WSD2090DN56
  • BVDSS:20V
  • RDSON:2,8mΩ
  • NHẬN DẠNG:80A
  • Kênh:kênh N
  • Bưu kiện:DFN5*6-8
  • Sản phẩm mùa hè:Điện áp của WSD2090DN56 MOSFET là 20V, dòng điện là 80A, điện trở là 2,8mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5*6-8.
  • Các ứng dụng:Thuốc lá điện tử, máy bay không người lái, dụng cụ điện, súng fascia, PD, đồ gia dụng nhỏ, v.v.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    WSD2090DN56 là MOSFET N-Ch rãnh hiệu suất cao nhất với mật độ tế bào cực cao, cung cấp RDSON và điện tích cổng tuyệt vời cho hầu hết các ứng dụng bộ chuyển đổi Buck đồng bộ.WSD2090DN56 đáp ứng yêu cầu về Sản phẩm Xanh và RoHS. Đảm bảo 100% EAS với độ tin cậy đầy đủ chức năng đã được phê duyệt.

    Đặc trưng

    Công nghệ rãnh mật độ tế bào cao tiên tiến, Phí cổng siêu thấp, Giảm hiệu ứng CdV / dt tuyệt vời, Đảm bảo 100% EAS, Thiết bị xanh có sẵn

    Các ứng dụng

    Công tắc, Hệ thống điện, Công tắc tải, thuốc lá điện tử, máy bay không người lái, dụng cụ điện, súng fascia, PD, thiết bị gia dụng nhỏ, v.v.

    số vật liệu tương ứng

    AOS AON6572

    Thông số quan trọng

    Xếp hạng tối đa tuyệt đối (TC=25oC trừ khi có ghi chú khác)

    Biểu tượng Tham số Tối đa. Các đơn vị
    VDSS điện áp cực tiêu tán 20 V
    VGSS Điện áp nguồn cổng ±12 V
    ID@TC=25oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1 80 A
    ID@TC=100oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1 59 A
    IDM Dòng xả xung lưu ý1 360 A
    EAS Năng lượng tuyết lở xung đơn note2 110 mJ
    PD Sự thât thoat năng lượng 81 W
    RθJA Khả năng chịu nhiệt, mối nối với vỏ 65 oC/W
    RθJC Mối nối chịu nhiệt-Trường hợp 1 4 oC/W
    TJ, TSTG Phạm vi nhiệt độ hoạt động và lưu trữ -55 đến +175 oC

    Đặc tính điện (TJ=25 oC, trừ khi có ghi chú khác)

    Biểu tượng Tham số Điều kiện tối thiểu Tối đa Các đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V, ID=250μA 20 24 --- V
    △BVDSS/△TJ Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham chiếu đến 25oC, ID = 1mA --- 0,018 --- V/oC
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VDS= VGS, ID=250μA 0,50 0,65 1.0 V
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh VGS=4.5V, ID=30A --- 2,8 4.0
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh VGS=2.5V, ID=20A --- 4.0 6.0
    IDSS Dòng xả điện áp cổng 0 VDS=20V,VGS=0V --- --- 1 μA
    IGSS Dòng điện rò rỉ thân cổng VGS=±10V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    Ciss Điện dung đầu vào VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ --- 3200 --- pF
    coss Điện dung đầu ra --- 460 ---
    chéo Điện dung chuyển ngược --- 446 ---
    Qg Tổng phí cổng VGS=4.5V,VDS=10V,ID=30A --- 11.05 --- nC
    Qgs Phí cổng nguồn --- 1,73 ---
    Qgd Phí cổng thoát nước --- 3.1 ---
    tD(bật) Thời gian trễ bật VGS=4,5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1,8Ω --- 9,7 --- ns
    tr Bật thời gian tăng --- 37 ---
    tD(tắt) Thời gian trễ tắt --- 63 ---
    tf Tắt thời gian rơi --- 52 ---
    VSD Điện áp chuyển tiếp điốt IS=7.6A,VGS=0V --- --- 1.2 V

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi