WSD30300DN56G N kênh 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD30300DN56G N kênh 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Mô tả ngắn:

Số phần:WSD30300DN56G

BVDSS:30V

NHẬN DẠNG:300A

RDSON:0,7mΩ 

Kênh:kênh N

Bưu kiện:DFN5X6-8


Chi tiết sản phẩm

Ứng dụng

Thẻ sản phẩm

Tổng quan về sản phẩm WINSOK MOSFET

Điện áp của WSD20100DN56 MOSFET là 20V, dòng điện là 90A, điện trở là 1,6mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5X6-8.

Các lĩnh vực ứng dụng MOSFET WINSOK

Thuốc lá điện tử MOSFET, MOSFET máy bay không người lái, MOSFET dụng cụ điện, súng MOSFET, PD MOSFET, thiết bị gia dụng nhỏ MOSFET.

WINSOK MOSFET tương ứng với các số vật liệu thương hiệu khác

MOSFET AOS AON6572.

MOSFET bán dẫn POTENS PDC394X.

Thông số MOSFET

Biểu tượng

Tham số

Xếp hạng

Các đơn vị

VDS

điện áp cực tiêu tán

20

V

VGS

Điện áp nguồn cổng

±12

V

ID@TC=25oC

Dòng xả liên tục1

90

A

ID@TC=100oC

Dòng xả liên tục1

48

A

IDM

Dòng xả xung2

270

A

EAS

Năng lượng tuyết lở xung đơn3

80

mJ

IAS

Hiện tại có tuyết lở

40

A

PD@TC=25oC

Tổng tản quyền lực4

83

W

TSTG

Phạm vi nhiệt độ lưu trữ

-55 đến 150

oC

TJ

Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành

-55 đến 150

oC

RθJA

Khả năng chịu nhiệt Junction-môi trường xung quanh1(t10S)

20

oC/W

RθJA

Khả năng chịu nhiệt Junction-môi trường xung quanh1(Trạng thái ổn định)

55

oC/W

RθJC

Vỏ nối chịu nhiệt1

1,5

oC/W

 

Biểu tượng

Tham số

Điều kiện

tối thiểu

Tối đa

Đơn vị

BVDSS

Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA

20

23

---

V

VGS(th)

Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA

0,5

0,68

1.0

V

RDS(BẬT)

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V , ID=20A

---

1.6

2.0

RDS(BẬT)

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=4.5V , ID=20A  

1.9

2,5

RDS(BẬT)

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=2.5V , ID=20A

---

2,8

3,8

IDSS

Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=16V , VGS=0V , TJ=25oC

---

---

1

uA

VDS=16V , VGS=0V , TJ=125oC

---

---

5

IGSS

Dòng rò cổng nguồn VGS=±10V , VDS=0V

---

---

±10

uA

Rg

Điện trở cổng VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

Tổng phí cổng (10V) VDS=15V , VGS=10V , ID=20A

---

77

---

nC

Qgs

Phí cổng nguồn

---

8,7

---

Qgd

Phí cổng thoát nước

---

14

---

Td(bật)

Thời gian trễ bật VDD=15V , VGS=10V , RG=3 ,

ID=20A

---

10.2

---

ns

Tr

thời gian tăng

---

11.7

---

Td(tắt)

Thời gian trễ tắt

---

56,4

---

Tf

Giảm thời gian

---

16.2

---

Ciss

Điện dung đầu vào VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz

---

4307

---

pF

coss

Điện dung đầu ra

---

501

---

chéo

Điện dung chuyển ngược

---

321

---

IS

Nguồn liên tục hiện tại1,5 VG=VD=0V, dòng điện cưỡng bức

---

---

50

A

VSD

Điện áp chuyển tiếp điốt2 VGS=0V , IS=1A , TJ=25oC

---

---

1.2

V

trr

Thời gian phục hồi ngược IF=20A , di/dt=100A/µs ,

TJ=25oC

---

22

---

nS

Qrr

Phí phục hồi ngược

---

72

---

nC


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi