WSD40120DN56G N kênh 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD40120DN56G N kênh 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Mô tả ngắn:

Số phần:WSD40120DN56G

BVDSS:40V

NHẬN DẠNG:120A

RDSON:1,4mΩ 

Kênh:kênh N

Bưu kiện:DFN5X6-8


Chi tiết sản phẩm

Ứng dụng

Thẻ sản phẩm

Tổng quan về sản phẩm WINSOK MOSFET

Điện áp của WSD40120DN56G MOSFET là 40V, dòng điện là 120A, điện trở là 1,4mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5X6-8.

Các lĩnh vực ứng dụng MOSFET WINSOK

MOSFET thuốc lá điện tử, MOSFET sạc không dây, MOSFET máy bay không người lái, MOSFET chăm sóc y tế, MOSFET bộ sạc ô tô, MOSFET bộ điều khiển, MOSFET sản phẩm kỹ thuật số, MOSFET thiết bị gia dụng nhỏ, MOSFET điện tử tiêu dùng.

WINSOK MOSFET tương ứng với các số vật liệu thương hiệu khác

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Bán dẫn MOSFET PDC496X.

Thông số MOSFET

Biểu tượng

Tham số

Xếp hạng

Các đơn vị

VDS

điện áp cực tiêu tán

40

V

VGS

Cổng-Sourđiện áp ce

±20

V

ID@TC=25oC

Dòng xả liên tục, VGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100oC

Dòng xả liên tục, VGS@ 10V1

82

A

IDM

Dòng xả xung2

400

A

EAS

Năng lượng tuyết lở xung đơn3

400

mJ

IAS

Hiện tại có tuyết lở

40

A

PD@TC=25oC

Tổng tản quyền lực4

125

W

TSTG

Phạm vi nhiệt độ lưu trữ

-55 đến 150

oC

TJ

Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành

-55 đến 150

oC

 

Biểu tượng

Tham số

Điều kiện

Tối thiểu.

Đánh máy.

Tối đa.

Đơn vị

BVDSS

Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V, tôiD=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSHệ số nhiệt độ Tham khảo đến 25oC, TÔID=1mA

---

0,043

---

V/oC

RDS(BẬT)

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V, tôiD=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS(BẬT)

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=4.5V , tôiD=20A

---

2.0

2.6

VGS(th)

Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS, TÔID=250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(th)

VGS(th)Hệ số nhiệt độ

---

-6,94

---

mV/oC

IDSS

Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=32V , VGS=0V, TJ=25oC

---

---

1

uA

VDS=32V , VGS=0V, TJ=55oC

---

---

5

IGSS

Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

bạn gái

Chuyển tiếp độ dẫn VDS=5V, tôiD=20A

---

53

---

S

Rg

Điện trở cổng VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Tổng phí cổng (10V) VDS=15V, VGS=10V, tôiD=20A

---

45

---

nC

Qgs

Phí cổng nguồn

---

12

---

Qgd

Phí cổng thoát nước

---

18,5

---

Td(bật)

Thời gian trễ bật VDD=15V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, TÔID=20A,RL=15Ω.

---

18,5

---

ns

Tr

thời gian tăng

---

9

---

Td(tắt)

Thời gian trễ tắt

---

58,5

---

Tf

Giảm thời gian

---

32

---

C

Điện dung đầu vào VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 3972 ---

pF

coss

Điện dung đầu ra

---

1119 ---

Crss

Điện dung chuyển ngược

---

82

---

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi