WSD4080DN56 Kênh N 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD4080DN56 Kênh N 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Mô tả ngắn:

Số phần:WSD4080DN56

BVDSS:40V

NHẬN DẠNG:85A

RDSON:4,5mΩ 

Kênh:kênh N

Bưu kiện:DFN5X6-8


Chi tiết sản phẩm

Ứng dụng

Thẻ sản phẩm

Tổng quan về sản phẩm WINSOK MOSFET

Điện áp của WSD4080DN56 MOSFET là 40V, dòng điện là 85A, điện trở là 4,5mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5X6-8.

Các lĩnh vực ứng dụng MOSFET WINSOK

MOSFET thiết bị nhỏ, MOSFET thiết bị cầm tay, MOSFET động cơ.

WINSOK MOSFET tương ứng với các số vật liệu thương hiệu khác

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS MOSFET bán dẫn PDC496X.

Thông số MOSFET

Biểu tượng

Tham số

Xếp hạng

Các đơn vị

VDS

điện áp cực tiêu tán

40

V

VGS

Cổng-Sourđiện áp ce

±20

V

ID@TC=25oC

Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC=100oC

Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Dòng xả xung2

100

A

EAS

Năng lượng tuyết lở xung đơn3

110,5

mJ

IAS

Hiện tại có tuyết lở

47

A

PD@TC=25oC

Tổng tản quyền lực4

52,1

W

TSTG

Phạm vi nhiệt độ lưu trữ

-55 đến 150

oC

TJ

Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành

-55 đến 150

oC

RθJA

Mối nối chịu nhiệt-môi trường xung quanh1

62

oC/W

RθJC

Vỏ nối chịu nhiệt1

2.4

oC/W

 

Biểu tượng

Tham số

Điều kiện

Tối thiểu.

Đánh máy.

Tối đa.

Đơn vị

BVDSS

Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA

40

---

---

V

RDS(BẬT)

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V , ID=10A

---

4,5

6,5

VGS=4.5V , ID=5A

---

6,4

8,5

VGS(th)

Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA

1.0

---

2,5

V

IDSS

Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=32V , VGS=0V , TJ=25oC

---

---

1

uA

VDS=32V , VGS=0V , TJ=55oC

---

---

5

IGSS

Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V , VDS=0V

---

---

±100

nA

bạn gái

Chuyển tiếp độ dẫn VDS=10V , ID=5A

---

27

---

S

Qg

Tổng phí cổng (4,5V) VDS=20V , VGS=4.5V , ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Phí cổng nguồn

---

5,8

---

Qgd

Phí cổng thoát nước

---

9,5

---

Td(bật)

Thời gian trễ bật VDD=15V , VGS=10V RG=3,3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

thời gian tăng

---

8,8

---

Td(tắt)

Thời gian trễ tắt

---

74

---

Tf

Giảm thời gian

---

7

---

Ciss

Điện dung đầu vào VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz

---

2354

---

pF

coss

Điện dung đầu ra

---

215

---

chéo

Điện dung chuyển ngược

---

175

---

IS

Nguồn liên tục hiện tại1,5 VG=VD=0V, dòng điện cưỡng bức

---

---

70

A

VSD

Điện áp chuyển tiếp điốt2 VGS=0V , IS=1A , TJ=25oC

---

---

1

V


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi