WSD45N10GDN56 Kênh N 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD45N10GDN56 Kênh N 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mô tả ngắn gọn:

Số phần:WSD45N10GDN56

BVDSS:100V

NHẬN DẠNG:45A

RDSON:14,5mΩ

Kênh:kênh N

Bưu kiện:DFN5X6-8


Chi tiết sản phẩm

Ứng dụng

Thẻ sản phẩm

Tổng quan về sản phẩm WINSOK MOSFET

Điện áp của WSD45N10GDN56 MOSFET là 100V, dòng điện là 45A, điện trở là 14,5mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5X6-8.

Các lĩnh vực ứng dụng MOSFET WINSOK

Thuốc lá điện tử MOSFET, MOSFET sạc không dây, MOSFET động cơ, MOSFET máy bay không người lái, MOSFET chăm sóc y tế, MOSFET bộ sạc ô tô, bộ điều khiển MOSFET, MOSFET sản phẩm kỹ thuật số, MOSFET thiết bị gia dụng nhỏ, MOSFET điện tử tiêu dùng.

WINSOK MOSFET tương ứng với các số vật liệu thương hiệu khác

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS MOSFET bán dẫn PDC966X.

Thông số MOSFET

Biểu tượng

tham số

Đánh giá

Đơn vị

VDS

Điện áp nguồn xả

100

V

VGS

Cổng-Sourđiện áp ce

±20

V

ID@TC=25oC

Dòng xả liên tục, VGS@ 10V

45

A

ID@TC=100oC

Dòng xả liên tục, VGS@ 10V

33

A

ID@TA=25oC

Dòng xả liên tục, VGS@ 10V

12

A

ID@TA=70oC

Dòng xả liên tục, VGS@ 10V

9,6

A

IDMa

Dòng xả xung

130

A

EASb

Năng lượng tuyết lở xung đơn

169

mJ

IASb

Hiện tại có tuyết lở

26

A

PD@TC=25oC

Tổng công suất tiêu tán

95

W

PD@TA=25oC

Tổng công suất tiêu tán

5.0

W

TSTG

Phạm vi nhiệt độ lưu trữ

-55 đến 150

oC

TJ

Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành

-55 đến 150

oC

 

Biểu tượng

tham số

Điều kiện

Tối thiểu.

Đánh máy.

Tối đa.

Đơn vị

BVDSS

Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V, tôiD=250uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham khảo đến 25oC, TÔID=1mA

---

0,0

---

V/oC

RDS(BẬT)d

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V, tôiD=26A

---

14,5

17,5

mΩ

VGS(th)

Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS, TÔID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Hệ số nhiệt độ

---

-5   mV/oC

IDSS

Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=80V , VGS=0V, TJ=25oC

---

- 1

uA

VDS=80V , VGS=0V, TJ=55oC

---

- 30

IGSS

Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V, VDS=0V

---

- ±100

nA

Rge

Điện trở cổng VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Tổng phí cổng (10V) VDS=50V, VGS=10V, tôiD=26A

---

42

59

nC

Qgse

Phí cổng nguồn

---

12

--

Qgde

Phí cổng thoát nước

---

12

---

Td(bật)e

Thời gian trễ bật VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω

ID=1A ,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

thời gian tăng

---

9

17

Td(tắt)e

Thời gian trễ tắt

---

36

65

tfe

Thời gian mùa thu

---

22

40

Cisse

Điện dung đầu vào VDS=30V, VGS=0V , f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Điện dung đầu ra

---

215

---

Crosse

Điện dung chuyển ngược

---

42

---


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi