WSD60N12GDN56 Kênh N 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD60N12GDN56 Kênh N 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Mô tả ngắn:

Số phần:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

NHẬN DẠNG:70A

RDSON:10mΩ

Kênh:kênh N

Bưu kiện:DFN5X6-8


Chi tiết sản phẩm

Ứng dụng

Thẻ sản phẩm

Tổng quan về sản phẩm WINSOK MOSFET

Điện áp của WSD60N12GDN56 MOSFET là 120V, dòng điện là 70A, điện trở là 10mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5X6-8.

Các lĩnh vực ứng dụng MOSFET WINSOK

MOSFET thiết bị y tế, MOSFET máy bay không người lái, MOSFET nguồn PD, MOSFET nguồn LED, MOSFET thiết bị công nghiệp.

Các trường ứng dụng MOSFETWINSOK MOSFET tương ứng với các số vật liệu thương hiệu khác

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS MOSFET bán dẫn PDC974X.

Thông số MOSFET

Biểu tượng

Tham số

Xếp hạng

Các đơn vị

VDS

điện áp cực tiêu tán

120

V

VGS

Điện áp nguồn cổng

±20

V

ID@TC=25oC

Dòng xả liên tục

70

A

IDP

Dòng xả xung

150

A

EAS

Năng lượng tuyết lở, xung đơn

53,8

mJ

PD@TC=25oC

Tổng tản quyền lực

140

W

TSTG

Phạm vi nhiệt độ lưu trữ

-55 đến 150

oC

TJ 

Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành

-55 đến 150

oC

 

Biểu tượng

Tham số

Điều kiện

Tối thiểu.

Đánh máy.

Tối đa.

Đơn vị

BVDSS 

Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V, tôiD=250uA

120

---

---

V

  Điện trở nguồn thoát tĩnh VGS=10V,ID=10A.

---

10

15

RDS(BẬT)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

18

25

VGS(th)

Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS, TÔID=250uA

1.2

---

2,5

V

IDSS

Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=80V , VGS=0V, TJ=25oC

---

---

1

uA

IGSS

Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Tổng phí cổng (10V) VDS=50V, VGS=10V, tôiD=25A

---

33

---

nC

Qgs 

Phí cổng nguồn

---

5.6

---

Qgd 

Phí cổng thoát nước

---

7.2

---

Td(bật)

Thời gian trễ bật VDD=50V, VGS=10V ,

RG=2Ω, tôiD=25A

---

22

---

ns

Tr 

thời gian tăng

---

10

---

Td(tắt)

Thời gian trễ tắt

---

85

---

Tf 

Giảm thời gian

---

112

---

C 

Điện dung đầu vào VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz

---

2640

---

pF

coss

Điện dung đầu ra

---

330

---

Crss 

Điện dung chuyển ngược

---

11

---

IS 

Nguồn liên tục hiện tại VG=VD=0V, dòng điện cưỡng bức

---

---

50

A

ISP

Nguồn xung hiện tại

---

---

150

A

VSD

Điện áp chuyển tiếp điốt VGS=0V, tôiS=12A , TJ=25oC

---

---

1.3

V

trr 

Thời gian phục hồi ngược IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ=25oC

---

62

---

nS

Qrr 

Phí phục hồi ngược

---

135

---

nC

 


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi