WSD75100DN56 Kênh N 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD75100DN56 Kênh N 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mô tả ngắn gọn:

Số phần:WSD75100DN56

BVDSS:75V

NHẬN DẠNG:100A

RDSON:5,3mΩ 

Kênh:kênh N

Bưu kiện:DFN5X6-8


Chi tiết sản phẩm

Ứng dụng

Thẻ sản phẩm

Tổng quan về sản phẩm WINSOK MOSFET

Điện áp của WSD75100DN56 MOSFET là 75V, dòng điện là 100A, điện trở là 5,3mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5X6-8.

Các lĩnh vực ứng dụng MOSFET WINSOK

Thuốc lá điện tử MOSFET, MOSFET sạc không dây, MOSFET máy bay không người lái, MOSFET chăm sóc y tế, MOSFET bộ sạc xe hơi, bộ điều khiển MOSFET, MOSFET sản phẩm kỹ thuật số, MOSFET thiết bị gia dụng nhỏ, MOSFET điện tử tiêu dùng.

WINSOK MOSFET tương ứng với các số vật liệu thương hiệu khác

AOS MOSFET AON6276, AON6278, AON628, AON6282, AON6448.ONSEMI, FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N OSFET PDC7966X.

Thông số MOSFET

Biểu tượng

tham số

Đánh giá

Đơn vị

VDS

Điện áp nguồn xả

75

V

VGS

Cổng-Sourđiện áp ce

±25

V

TJ

Nhiệt độ tiếp giáp tối đa

150

°C

ID

Phạm vi nhiệt độ lưu trữ

-55 đến 150

°C

IS

Điốt chuyển tiếp liên tục hiện tại, TC=25°C

50

A

ID

Dòng xả liên tục, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Dòng xả liên tục, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Dòng xả xung, TC=25°C

400

A

PD

Tản điện tối đa, TC=25°C

155

W

Tản điện tối đa, TC=100°C

62

W

RθJA

Khả năng chịu nhiệt-Tiếp xúc với môi trường xung quanh, t =10s ̀

20

°C

Khả năng chịu nhiệt-Giao tiếp với môi trường xung quanh, trạng thái ổn định

60

°C

RqJC

Khả năng chịu nhiệt-Nối với vỏ

0,8

°C

IAS

Dòng điện lở, xung đơn, L=0,5mH

30

A

EAS

Năng lượng tuyết lở, xung đơn, L=0,5mH

225

mJ

 

Biểu tượng

tham số

Điều kiện

Tối thiểu.

Đánh máy.

Tối đa.

Đơn vị

BVDSS

Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V, tôiD=250uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSHệ số nhiệt độ Tham khảo đến 25oC, TÔID=1mA

---

0,043

---

V/oC

RDS(BẬT)

Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V, tôiD=25A

---

5.3

6,4

mΩ

VGS(th)

Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS, TÔID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Hệ số nhiệt độ

---

-6,94

---

mV/oC

IDSS

Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=48V , VGS=0V, TJ=25oC

---

---

2

uA

VDS=48V , VGS=0V, TJ=55oC

---

---

10

IGSS

Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

bạn gái

Chuyển tiếp độ dẫn VDS=5V, tôiD=20A

---

50

---

S

Rg

Điện trở cổng VDS=0V, VGS=0V , f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Tổng phí cổng (10V) VDS=20V, VGS=10V, tôiD=40A

---

65

85

nC

Qgs

Phí cổng nguồn

---

20

---

Qgd

Phí cổng thoát nước

---

17

---

Td(bật)

Thời gian trễ bật VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, TÔID=1A ,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

thời gian tăng

---

14

26

Td(tắt)

Thời gian trễ tắt

---

60

108

Tf

Thời gian mùa thu

---

37

67

C

Điện dung đầu vào VDS=20V, VGS=0V , f=1MHz

3450

3500 4550

pF

coss

Điện dung đầu ra

245

395

652

Crss

Điện dung chuyển ngược

100

195

250


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi