WSD75N12GDN56 N kênh 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Tổng quan về sản phẩm WINSOK MOSFET
Điện áp của WSD75N12GDN56 MOSFET là 120V, dòng điện là 75A, điện trở là 6mΩ, kênh là kênh N và gói là DFN5X6-8.
Các lĩnh vực ứng dụng MOSFET WINSOK
MOSFET thiết bị y tế, MOSFET máy bay không người lái, MOSFET nguồn PD, MOSFET nguồn LED, MOSFET thiết bị công nghiệp.
Các trường ứng dụng MOSFETWINSOK MOSFET tương ứng với các số vật liệu thương hiệu khác
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Thông số MOSFET
| Biểu tượng | Tham số | Xếp hạng | Các đơn vị |
| VDSS | Điện áp xả tới nguồn | 120 | V |
| VGS | Điện áp cổng tới nguồn | ±20 | V |
| ID | 1 Dòng xả liên tục (Tc=25oC) | 75 | A |
| ID | 1 Dòng xả liên tục (Tc=70oC) | 70 | A |
| IDM | Dòng xả xung | 320 | A |
| IAR | Dòng điện tuyết lở xung đơn | 40 | A |
| EASa | Năng lượng tuyết lở xung đơn | 240 | mJ |
| PD | Sự thât thoat năng lượng | 125 | W |
| TJ,Tstg | Phạm vi nhiệt độ hoạt động và lưu trữ | -55 đến 150 | oC |
| TL | Nhiệt độ tối đa để hàn | 260 | oC |
| RθJC | Khả năng chịu nhiệt, nối với vỏ | 1.0 | oC/W |
| RθJA | Khả năng chịu nhiệt, tiếp xúc với môi trường xung quanh | 50 | oC/W |
| Biểu tượng | Tham số | Điều kiện kiểm tra | Tối thiểu. | Đánh máy. | Tối đa. | Các đơn vị |
| VDSS | Xả điện áp đánh thủng nguồn | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Xả nguồn rò rỉ hiện tại | VDS = 120V, VGS= 0V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Rò rỉ chuyển tiếp cổng tới nguồn | VGS=+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Rò rỉ ngược cổng tới nguồn | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Điện áp ngưỡng cổng | VDS=VGS, ID = 250µA | 2,5 | 3.0 | 3,5 | V |
| RDS(BẬT)1 | Điện trở thoát nước tới nguồn | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6,8 | mΩ |
| gFS | Chuyển tiếp độ dẫn | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Điện dung đầu vào | VGS = 0V VDS = 50V f =1.0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| coss | Điện dung đầu ra | -- | 429 | -- | pF | |
| chéo | Điện dung chuyển ngược | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Điện trở cổng | -- | 2,5 | -- | Ω | |
| td(BẬT) | Thời gian trễ bật | ID =20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | thời gian tăng | -- | 11 | -- | ns | |
| td(TẮT) | Thời gian trễ tắt | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Giảm thời gian | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Tổng phí cổng | VGS =0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Phí nguồn cổng | -- | 17,4 | -- | nC | |
| Qgd | Phí xả cổng | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Điốt chuyển tiếp hiện tại | TC = 25°C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Điốt xung hiện tại | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Điện áp chuyển tiếp điốt | IS=6.0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Đảo ngược thời gian phục hồi | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Phí phục hồi ngược | -- | 250 | -- | nC |
