WSM320N04G N kênh 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSM320N04G N kênh 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

mô tả ngắn gọn:


  • Số mô hình:WSM320N04G
  • BVDSS:40V
  • RDSON:1,2mΩ
  • NHẬN DẠNG:320A
  • Kênh:kênh N
  • Bưu kiện:SỐ ĐIỆN THOẠI-8L
  • Sản phẩm mùa hè:MOSFET WSM320N04G có điện áp 40V, dòng điện 320A, điện trở 1,2mΩ, kênh N và gói TOLL-8L.
  • Ứng dụng:Thuốc lá điện tử, sạc không dây, máy bay không người lái, y tế, sạc xe hơi, bộ điều khiển, sản phẩm kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ, điện tử tiêu dùng.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    WSM320N04G là MOSFET hiệu suất cao sử dụng thiết kế rãnh và có mật độ tế bào rất cao. Nó có RDSON và điện tích cổng tuyệt vời và phù hợp với hầu hết các ứng dụng bộ chuyển đổi Buck đồng bộ. WSM320N04G đáp ứng các yêu cầu RoHS và Sản phẩm Xanh và được đảm bảo có 100% EAS và độ tin cậy đầy đủ chức năng.

    Đặc trưng

    Công nghệ Trench mật độ tế bào cao tiên tiến, đồng thời có mức phí cổng thấp để có hiệu suất tối ưu. Ngoài ra, nó còn tự hào có khả năng giảm hiệu ứng CdV/dt tuyệt vời, Đảm bảo 100% EAS và tùy chọn thân thiện với môi trường.

    Ứng dụng

    Bộ chuyển đổi Buck đồng bộ điểm tải tần số cao, Hệ thống điện DC-DC nối mạng, Ứng dụng công cụ điện, Thuốc lá điện tử, sạc không dây, máy bay không người lái, y tế, sạc xe hơi, bộ điều khiển, sản phẩm kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ và điện tử tiêu dùng.

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng tham số Đánh giá Đơn vị
    VDS Điện áp nguồn xả 40 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±20 V
    ID@TC=25oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1,7 320 A
    ID@TC=100oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1,7 192 A
    IDM Dòng xả xung2 900 A
    EAS Năng lượng tuyết lở xung đơn3 980 mJ
    IAS Hiện tại có tuyết lở 70 A
    PD@TC=25oC Tổng công suất tiêu tán4 250 W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 175 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành -55 đến 175 oC
    Biểu tượng tham số Điều kiện Tối thiểu. Đánh máy. Tối đa. Đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA 40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham chiếu đến 25oC, ID = 1mA --- 0,050 --- V/oC
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V , ID=25A --- 1.2 1,5
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=4.5V , ID=20A --- 1.7 2,5
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA 1.2 1.7 2.6 V
    △VGS(th) Hệ số nhiệt độ VGS(th) --- -6,94 --- mV/oC
    IDSS Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=40V , VGS=0V , TJ=25oC --- --- 1 uA
    VDS=40V , VGS=0V , TJ=55oC --- --- 10
    IGSS Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    bạn gái Chuyển tiếp độ dẫn VDS=5V , ID=50A --- 160 --- S
    Rg Điện trở cổng VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.0 --- Ω
    Qg Tổng phí cổng (10V) VDS=20V , VGS=10V , ID=25A --- 130 --- nC
    Qgs Phí cổng nguồn --- 43 ---
    Qgd Phí cổng thoát nước --- 83 ---
    Td(bật) Thời gian trễ bật VDD=20V , VGEN=4.5V , RG=2.7Ω, ID=1A . --- 30 --- ns
    Tr thời gian tăng --- 115 ---
    Td(tắt) Thời gian trễ tắt --- 95 ---
    Tf Thời gian mùa thu --- 80 ---
    Ciss Điện dung đầu vào VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz --- 8100 --- pF
    coss Điện dung đầu ra --- 1200 ---
    chéo Điện dung chuyển ngược --- 800 ---

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi