WSP4016 Kênh N 40V 15.5A SOP-8 MOSFET WINSOK

các sản phẩm

WSP4016 Kênh N 40V 15.5A SOP-8 MOSFET WINSOK

mô tả ngắn gọn:


  • Số mô hình:WSP4016
  • BVDSS:40V
  • RDSON:11,5mΩ
  • NHẬN DẠNG:15,5A
  • Kênh:kênh N
  • Bưu kiện:SOP-8
  • Sản phẩm mùa hè:Điện áp của MOSFET WSP4016 là 40V, dòng điện là 15,5A, điện trở là 11,5mΩ, kênh là kênh N và gói là SOP-8.
  • Ứng dụng:Điện tử ô tô, đèn LED, âm thanh, sản phẩm kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ, điện tử tiêu dùng, bảng bảo vệ, v.v.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    WSP4016 là MOSFET N-ch rãnh hiệu suất cao nhất với mật độ tế bào cực cao, cung cấp RDSON và bộ sạc cổng tuyệt vời cho hầu hết các ứng dụng bộ chuyển đổi Buck đồng bộ. WSP4016 đáp ứng yêu cầu về RoHS và Sản phẩm Xanh, được đảm bảo 100% EAS với độ tin cậy đầy đủ chức năng đã được phê duyệt.

    Đặc trưng

    Công nghệ rãnh mật độ tế bào cao tiên tiến, Phí cổng siêu thấp, Giảm hiệu ứng CdV/dt tuyệt vời, Đảm bảo 100% EAS, Thiết bị xanh có sẵn.

    Ứng dụng

    Bộ chuyển đổi tăng áp LED trắng, Hệ thống ô tô, Mạch chuyển đổi DC/DC công nghiệp, Điện tử ô tô điện tử, đèn LED, âm thanh, sản phẩm kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ, điện tử tiêu dùng, bảng bảo vệ, v.v.

    số vật liệu tương ứng

    AO AOSP66406, TRÊN FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
    DINTEK DTM5420.

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng tham số Đánh giá Đơn vị
    VDS Điện áp nguồn xả 40 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±20 V
    ID@TC=25oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1 15,5 A
    ID@TC=70oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1 8,4 A
    IDM Dòng xả xung2 30 A
    PD@TA=25oC Tổng công suất tiêu tán TA=25°C 2.08 W
    PD@TA=70oC Tổng công suất tiêu tán TA=70°C 1.3 W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 150 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành -55 đến 150 oC

    Đặc tính điện (TJ=25 oC, trừ khi có ghi chú khác)

    Biểu tượng tham số Điều kiện Tối thiểu. Đánh máy. Tối đa. Đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA 40 --- --- V
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V , ID=7A --- 8,5 11,5
    VGS=4.5V , ID=5A --- 11 14,5
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA 1.0 1.8 2,5 V
    IDSS Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=32V , VGS=0V , TJ=25oC --- --- 1 uA
    VDS=32V , VGS=0V , TJ=55oC --- --- 25
    IGSS Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    bạn gái Chuyển tiếp độ dẫn VDS=5V , ID=15A --- 31 --- S
    Qg Tổng phí cổng (4,5V) VDS=20V ,VGS=10V ,ID=7A --- 20 30 nC
    Qgs Phí cổng nguồn --- 3,9 ---
    Qgd Phí cổng thoát nước --- 3 ---
    Td(bật) Thời gian trễ bật VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. --- 12.6 --- ns
    Tr thời gian tăng --- 10 ---
    Td(tắt) Thời gian trễ tắt --- 23,6 ---
    Tf Thời gian mùa thu --- 6 ---
    Ciss Điện dung đầu vào VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz --- 1125 --- pF
    coss Điện dung đầu ra --- 132 ---
    chéo Điện dung chuyển ngược --- 70 ---

    Ghi chú :
    1. Kiểm tra xung: PW<= 300us chu kỳ nhiệm vụ<= 2%.
    2. Được đảm bảo theo thiết kế, không phải kiểm tra sản xuất.


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi