WSP6067A N&P-Kênh 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSP6067A N&P-Kênh 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

mô tả ngắn gọn:


  • Số mô hình:WSP6067A
  • BVDSS:60V/-60V
  • RDSON:38mΩ/80mΩ
  • NHẬN DẠNG:7A/-5A
  • Kênh:Kênh N&P
  • Bưu kiện:SOP-8
  • Sản phẩm mùa hè:MOSFET WSP6067A có dải điện áp dương và âm 60 volt, dải dòng điện là 7 amp dương và 5 ampe âm, dải điện trở 38 milliohms và 80 milliohms, Kênh N&P và được đóng gói trong SOP-8.
  • Ứng dụng:Thuốc lá điện tử, bộ sạc không dây, động cơ, máy bay không người lái, chăm sóc sức khỏe, bộ sạc ô tô, bộ điều khiển, thiết bị kỹ thuật số, thiết bị nhỏ và thiết bị điện tử cho người tiêu dùng.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    MOSFET WSP6067A là loại MOSFET tiên tiến nhất dành cho công nghệ P-ch rãnh, với mật độ tế bào rất cao. Chúng mang lại hiệu suất tuyệt vời về cả RDSON và điện tích cổng, phù hợp với hầu hết các bộ chuyển đổi Buck đồng bộ. Các MOSFET này đáp ứng các tiêu chí RoHS và Sản phẩm Xanh, với 100% EAS đảm bảo độ tin cậy đầy đủ về chức năng.

    Đặc trưng

    Công nghệ tiên tiến cho phép hình thành rãnh tế bào mật độ cao, dẫn đến điện tích cổng siêu thấp và phân rã hiệu ứng CdV/dt vượt trội. Các thiết bị của chúng tôi được bảo hành 100% EAS và thân thiện với môi trường.

    Ứng dụng

    Bộ chuyển đổi Buck đồng bộ điểm tải tần số cao, Hệ thống điện DC-DC nối mạng, Công tắc tải, thuốc lá điện tử, sạc không dây, động cơ, máy bay không người lái, thiết bị y tế, bộ sạc xe hơi, bộ điều khiển, thiết bị điện tử, thiết bị gia dụng nhỏ và điện tử tiêu dùng .

    số vật liệu tương ứng

    AOS

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng tham số Đánh giá Đơn vị
    Kênh N Kênh P
    VDS Điện áp nguồn xả 60 -60 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±20 ±20 V
    ID@TC=25oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1 7,0 -5.0 A
    ID@TC=100oC Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1 4.0 -2,5 A
    IDM Dòng xả xung2 28 -20 A
    EAS Năng lượng tuyết lở xung đơn3 22 28 mJ
    IAS Hiện tại có tuyết lở 21 -24 A
    PD@TC=25oC Tổng công suất tiêu tán4 2.0 2.0 W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 150 -55 đến 150 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành -55 đến 150 -55 đến 150 oC
    Biểu tượng tham số Điều kiện Tối thiểu. Đánh máy. Tối đa. Đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA 60 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham chiếu đến 25oC, ID = 1mA --- 0,063 --- V/oC
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V , ID=5A --- 38 52
    VGS=4.5V , ID=4A --- 55 75
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA 1 2 3 V
    △VGS(th) Hệ số nhiệt độ VGS(th) --- -5,24 --- mV/oC
    IDSS Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=48V , VGS=0V , TJ=25oC --- --- 1 uA
    VDS=48V , VGS=0V , TJ=55oC --- --- 5
    IGSS Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    bạn gái Chuyển tiếp độ dẫn VDS=5V , ID=4A --- 28 --- S
    Rg Điện trở cổng VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 2,8 4.3 Ω
    Qg Tổng phí cổng (4,5V) VDS=48V , VGS=4.5V , ID=4A --- 19 25 nC
    Qgs Phí cổng nguồn --- 2.6 ---
    Qgd Phí cổng thoát nước --- 4.1 ---
    Td(bật) Thời gian trễ bật VDD=30V , VGS=10V ,

    RG=3,3Ω, ID=1A

    --- 3 --- ns
    Tr thời gian tăng --- 34 ---
    Td(tắt) Thời gian trễ tắt --- 23 ---
    Tf Thời gian mùa thu --- 6 ---
    Ciss Điện dung đầu vào VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 1027 --- pF
    coss Điện dung đầu ra --- 65 ---
    chéo Điện dung chuyển ngược --- 45 ---

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi