WSR140N12 N kênh 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSR140N12 N kênh 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

mô tả ngắn gọn:


  • Số mô hình:WSR140N12
  • BVDSS:120V
  • RDSON:5mΩ
  • NHẬN DẠNG:140A
  • Kênh:kênh N
  • Bưu kiện:TO-220-3L
  • Sản phẩm mùa hè:Điện áp của WSR140N12 MOSFET là 120V, dòng điện là 140A, điện trở là 5mΩ, kênh là kênh N và gói là TO-220-3L.
  • Ứng dụng:Cung cấp điện, y tế, thiết bị chính, BMS, v.v.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    WSR140N12 là MOSFET N-ch rãnh hiệu suất cao nhất với mật độ tế bào cực cao, cung cấp RDSON và điện tích cổng tuyệt vời cho hầu hết các ứng dụng bộ chuyển đổi Buck đồng bộ. WSR140N12 đáp ứng yêu cầu về Sản phẩm Xanh và RoHS, được đảm bảo 100% EAS với độ tin cậy đầy đủ chức năng đã được phê duyệt.

    Đặc trưng

    Công nghệ rãnh mật độ tế bào cao tiên tiến, Phí cổng siêu thấp, Giảm hiệu ứng CdV/dt tuyệt vời, Đảm bảo 100% EAS, Thiết bị xanh có sẵn.

    Ứng dụng

    Bộ chuyển đổi Buck đồng bộ điểm tải tần số cao, Hệ thống điện DC-DC nối mạng, Nguồn điện, y tế, thiết bị chính, BMS, v.v.

    số vật liệu tương ứng

    ST STP40NF12, v.v.

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng tham số Đánh giá Đơn vị
    VDS Điện áp nguồn xả 120 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±20 V
    ID Dòng xả liên tục, VGS @ 10V(TC=25oC) 140 A
    IDM Dòng xả xung 330 A
    EAS Năng lượng tuyết lở xung đơn 400 mJ
    PD Tổng công suất tiêu tán ... C=25oC) 192 W
    RθJA Khả năng chịu nhiệt, môi trường xung quanh 62 oC/W
    RθJC Khả năng chịu nhiệt, vỏ nối 0,65 oC/W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 150 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành -55 đến 150 oC
    Biểu tượng tham số Điều kiện Tối thiểu. Đánh máy. Tối đa. Đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA 120 --- --- V
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=10V , ID=30A --- 5.0 6,5
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA 2.0 --- 4.0 V
    IDSS Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=120V , VGS=0V , TJ=25oC --- --- 1 uA
    IGSS Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Qg Tổng phí cổng VDS=50V , VGS=10V , ID=15A --- 68,9 --- nC
    Qgs Phí cổng nguồn --- 18.1 ---
    Qgd Phí cổng thoát nước --- 15,9 ---
    Td(bật) Thời gian trễ bật VDD=50V , VGS=10VRG=2Ω,ID=25A --- 30,3 --- ns
    Tr thời gian tăng --- 33,0 ---
    Td(tắt) Thời gian trễ tắt --- 59,5 ---
    Tf Thời gian mùa thu --- 11.7 ---
    Ciss Điện dung đầu vào VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz --- 5823 --- pF
    coss Điện dung đầu ra --- 778,3 ---
    chéo Điện dung chuyển ngược --- 17,5 ---

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi