WST2088 Kênh N 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WST2088 Kênh N 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

Mô tả ngắn:


  • Số mô hình:WST2088
  • BVDSS:20V
  • RDSON:8mΩ
  • NHẬN DẠNG:8,8A
  • Kênh:kênh N
  • Bưu kiện:SOT-23-3L
  • Sản phẩm mùa hè:Điện áp của WST2088 MOSFET là 20V, dòng điện là 8,8A, điện trở là 8mΩ, kênh là kênh N và gói là SOT-23-3L.
  • Các ứng dụng:Thuốc lá điện tử, bộ điều khiển, thiết bị kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ và điện tử tiêu dùng.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    MOSFET WST2088 là bóng bán dẫn kênh N tiên tiến nhất trên thị trường.Chúng có mật độ tế bào cực kỳ cao, mang lại RDSON và điện tích cổng tuyệt vời.Những MOSFET này hoàn hảo cho các ứng dụng chuyển mạch nguồn và chuyển mạch tải nhỏ.Chúng đáp ứng các yêu cầu của RoHS và Sản phẩm Xanh và đã được kiểm tra đầy đủ về độ tin cậy.

    Đặc trưng

    Công nghệ Trench tiên tiến với mật độ tế bào cao, Phí cổng siêu thấp và khả năng giảm hiệu ứng Cdv/dt tuyệt vời, khiến nó trở thành Thiết bị Xanh.

    Các ứng dụng

    Các ứng dụng nguồn, mạch có chuyển mạch cứng và tần số cao, nguồn điện liên tục, thuốc lá điện tử, bộ điều khiển, thiết bị điện tử, thiết bị gia dụng nhỏ và điện tử tiêu dùng.

    số vật liệu tương ứng

    AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, v.v.

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng Tham số Xếp hạng Các đơn vị
    VDS điện áp cực tiêu tán 20 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±12 V
    ID@Tc=25oC Dòng xả liên tục, VGS @ 4.5V 8,8 A
    ID@Tc=70oC Dòng xả liên tục, VGS @ 4.5V 6.2 A
    IDP Dòng xả xung 40 A
    PD@TA=25oC Tổng tản quyền lực 1,5 W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 150 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành -55 đến 150 oC

    Đặc tính điện (TJ=25 oC, trừ khi có ghi chú khác)

    Biểu tượng Tham số Điều kiện Tối thiểu. Đánh máy. Tối đa. Đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham chiếu đến 25oC, ID = 1mA --- 0,018 --- V/oC
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=4.5V, ID=6A --- 8 13
    VGS=2.5V, ID=5A --- 10 19
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA 0,5 --- 1.3 V
    IDSS Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=16V , VGS=0V. --- --- 10 uA
    IGSS Dòng rò cổng nguồn VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Qg Tổng phí cổng VDS=15V , VGS=4.5V , ID=6A --- 16 --- nC
    Qgs Phí cổng nguồn --- 3 ---
    Qgd Phí cổng thoát nước --- 4,5 ---
    Td(bật) Thời gian trễ bật VDS=10V , VGS=4.5V ,RG=3.3Ω ID=1A --- 10 --- ns
    Tr thời gian tăng --- 13 ---
    Td(tắt) Thời gian trễ tắt --- 28 ---
    Tf Giảm thời gian --- 7 ---
    Ciss Điện dung đầu vào VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 1400 --- pF
    coss Điện dung đầu ra --- 170 ---
    chéo Điện dung chuyển ngược --- 135 ---

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi