WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Mô tả ngắn:


  • Số mô hình:WST8205
  • BVDSS:20V
  • RDSON:24mΩ
  • NHẬN DẠNG:5,8A
  • Kênh:Kênh N kép
  • Bưu kiện:SOT-23-6L
  • Sản phẩm mùa hè:MOSFET WST8205 hoạt động ở điện áp 20 volt, duy trì dòng điện 5,8 amps và có điện trở 24 milliohms.MOSFET bao gồm một kênh N kép và được đóng gói trong SOT-23-6L.
  • Các ứng dụng:Điện tử ô tô, đèn LED, âm thanh, sản phẩm kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ, điện tử tiêu dùng, bảng bảo vệ.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    WST8205 là MOSFET N-Ch rãnh hiệu suất cao với mật độ tế bào cực cao, cung cấp RDSON và điện tích cổng tuyệt vời cho hầu hết các ứng dụng chuyển mạch tải và chuyển mạch nguồn nhỏ.WST8205 đáp ứng các yêu cầu của RoHS và Sản phẩm Xanh với sự phê duyệt về độ tin cậy đầy đủ về chức năng.

    Đặc trưng

    Công nghệ tiên tiến của chúng tôi kết hợp các tính năng cải tiến giúp thiết bị này trở nên khác biệt so với các thiết bị khác trên thị trường.Với các rãnh mật độ tế bào cao, công nghệ này cho phép tích hợp nhiều thành phần hơn, dẫn đến hiệu suất và hiệu quả được nâng cao. Một ưu điểm đáng chú ý của thiết bị này là điện tích cổng cực thấp.Do đó, nó cần ít năng lượng nhất để chuyển đổi giữa trạng thái bật và tắt, giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và cải thiện hiệu suất tổng thể.Đặc tính sạc cổng thấp này khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu chuyển đổi tốc độ cao và điều khiển chính xác. Ngoài ra, thiết bị của chúng tôi còn vượt trội trong việc giảm hiệu ứng Cdv/dt.Cdv/dt, hoặc tốc độ thay đổi điện áp từ nguồn sang nguồn theo thời gian, có thể gây ra những tác động không mong muốn như tăng vọt điện áp và nhiễu điện từ.Bằng cách giảm thiểu hiệu quả những tác động này, thiết bị của chúng tôi đảm bảo hoạt động ổn định và đáng tin cậy, ngay cả trong môi trường năng động và đòi hỏi khắt khe. Ngoài sức mạnh kỹ thuật, thiết bị này còn thân thiện với môi trường.Nó được thiết kế chú trọng đến tính bền vững, có tính đến các yếu tố như hiệu quả sử dụng năng lượng và tuổi thọ.Bằng cách vận hành với hiệu suất năng lượng tối đa, thiết bị này giảm thiểu lượng khí thải carbon và góp phần tạo nên một tương lai xanh hơn. Tóm lại, thiết bị của chúng tôi kết hợp công nghệ tiên tiến với các rãnh mật độ tế bào cao, điện tích cổng cực thấp và giảm hiệu ứng Cdv/dt một cách tuyệt vời.Với thiết kế thân thiện với môi trường, nó không chỉ mang lại hiệu suất và hiệu quả vượt trội mà còn phù hợp với nhu cầu ngày càng tăng về các giải pháp bền vững trong thế giới ngày nay.

    Các ứng dụng

    Đồng bộ điểm tải tần số cao Chuyển mạch nguồn nhỏ cho Mạng MB/NB/UMPC/VGA Hệ thống nguồn DC-DC, Điện tử ô tô, đèn LED, âm thanh, sản phẩm kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ, điện tử tiêu dùng, bảng bảo vệ.

    số vật liệu tương ứng

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng Tham số Xếp hạng Các đơn vị
    VDS điện áp cực tiêu tán 20 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±12 V
    ID@Tc=25oC Dòng xả liên tục, VGS @ 4.5V1 5,8 A
    ID@Tc=70oC Dòng xả liên tục, VGS @ 4.5V1 3,8 A
    IDM Dòng xả xung2 16 A
    PD@TA=25oC Tổng công suất tiêu tán3 2.1 W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 150 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành -55 đến 150 oC
    Biểu tượng Tham số Điều kiện Tối thiểu. Đánh máy. Tối đa. Đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham chiếu đến 25oC, ID = 1mA --- 0,022 --- V/oC
    RDS(BẬT) Điện trở nguồn thoát tĩnh2 VGS=4.5V , ID=5.5A --- 24 28
           
        VGS=2.5V , ID=3.5A --- 30 45  
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(th) Hệ số nhiệt độ VGS(th)   --- -2,33 --- mV/oC
    IDSS Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=16V , VGS=0V , TJ=25oC --- --- 1 uA
           
        VDS=16V , VGS=0V , TJ=55oC --- --- 5  
    IGSS Dòng rò cổng nguồn VGS=±12V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    bạn gái Chuyển tiếp độ dẫn VDS=5V , ID=5A --- 25 --- S
    Rg Điện trở cổng VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1,5 3 Ω
    Qg Tổng phí cổng (4,5V) VDS=10V , VGS=4.5V , ID=5.5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Phí cổng nguồn --- 1.4 2.0
    Qgd Phí cổng thoát nước --- 2.2 3.2
    Td(bật) Thời gian trễ bật VDD=10V , VGEN=4.5V , RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5,7 11.6 ns
    Tr thời gian tăng --- 34 63
    Td(tắt) Thời gian trễ tắt --- 22 46
    Tf Giảm thời gian --- 9,0 18,4
    Ciss Điện dung đầu vào VDS=10V , VGS=0V , f=1MHz --- 625 889 pF
    coss Điện dung đầu ra --- 69 98
    chéo Điện dung chuyển ngược --- 61 88

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi