Phân tích MOSFET tăng cường và suy giảm

D-FET ở độ lệch cổng 0 khi sự tồn tại của kênh, có thể dẫn FET; E-FET ở độ lệch cổng 0 khi không có kênh, không thể dẫn FET. hai loại FET này có những đặc điểm và cách sử dụng riêng. Nhìn chung, FET nâng cao trong các mạch tốc độ cao, công suất thấp là rất có giá trị; và thiết bị này đang hoạt động, đó là cực tính của cổng thiên vịltage và cống điện áp như nhau, thuận tiện hơn trong việc thiết kế mạch.

Cái gọi là phương tiện nâng cao: khi ống VGS = 0 ở trạng thái cắt, cộng với VGS chính xác, phần lớn các sóng mang bị hút vào cổng, do đó "tăng cường" các sóng mang trong vùng, tạo thành kênh dẫn điện. MOSFET tăng cường kênh n về cơ bản là cấu trúc liên kết đối xứng trái phải, là chất bán dẫn loại P để tạo ra một lớp cách điện màng SiO2. Nó tạo ra một lớp màng SiO2 cách điện trên chất bán dẫn loại P, sau đó khuếch tán hai vùng loại N có độ pha tạp cao bằng cáchquang khắc, và các điện cực dẫn từ vùng loại N, một cho cực D và một cho nguồn S. Một lớp kim loại nhôm được mạ trên lớp cách điện giữa nguồn và cực máng làm cổng G. Khi VGS = 0 V , có khá nhiều điốt có điốt nối tiếp giữa cực máng và nguồn và điện áp giữa D và S không tạo thành dòng điện giữa D và S. Dòng điện giữa D và S không được hình thành bởi điện áp đặt vào .

Khi thêm điện áp cổng, nếu 0 < VGS < VGS(th), thông qua điện trường hình thành giữa cổng và đế, các lỗ polyon trong chất bán dẫn loại P gần đáy cổng sẽ bị đẩy xuống và xuất hiện lớp ion âm suy giảm mỏng; đồng thời sẽ thu hút các oligon trong đó di chuyển lên lớp bề mặt, tuy nhiên số lượng có hạn và không đủ để tạo thành kênh dẫn truyền thông cực máng và nguồn nên vẫn chưa đủ để hình thành ID dòng thoát. tăng thêm VGS, khi VGS > VGS(th) (VGS(th) gọi là điện áp bật), vì lúc này điện áp cổng đã tương đối mạnh, ở lớp bề mặt bán dẫn loại P gần đáy cổng phía dưới tập trung nhiều hơn các electron, bạn có thể tạo thành một rãnh, một cống và một nguồn liên lạc. Nếu điện áp nguồn xả được thêm vào thời điểm này, dòng xả có thể được hình thành ID. các electron trong kênh dẫn hình thành phía dưới cổng, do lỗ mang của chất bán dẫn loại P ngược nhau nên gọi là lớp chống loại. Khi VGS tiếp tục tăng, ID sẽ tiếp tục tăng. ID = 0 tại VGS = 0V và dòng xả chỉ xảy ra sau VGS > VGS(th), vì vậy loại MOSFET này được gọi là MOSFET tăng cường.

Mối quan hệ điều khiển của VGS đối với dòng thoát có thể được mô tả bằng đường cong iD = f(VGS(th))|VDS=const, được gọi là đường cong đặc tính truyền và độ lớn độ dốc của đường cong đặc tính truyền, gm, phản ánh sự điều khiển dòng thoát bằng điện áp nguồn cổng. độ lớn của gm là mA/V, vì vậy gm còn được gọi là độ dẫn điện.