Sự khác biệt giữa IGBT và MOSFET

IGBT (Transistor lưỡng cực có cổng cách điện) và MOSFET (Transitor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại) là hai thiết bị bán dẫn công suất phổ biến được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất. Mặc dù cả hai đều là thành phần thiết yếu trong nhiều ứng dụng khác nhau nhưng chúng khác nhau đáng kể ở một số khía cạnh. Dưới đây là những khác biệt chính giữa IGBT và MOSFET:

1. Nguyên tắc làm việc

- IGBT: IGBT kết hợp các đặc tính của cả BJT (Transitor lưỡng cực) và MOSFET, biến nó thành một thiết bị lai. Nó điều khiển đế của BJT thông qua điện áp cổng của MOSFET, từ đó điều khiển độ dẫn và cắt của BJT. Mặc dù quá trình dẫn và ngắt của IGBT tương đối phức tạp nhưng nó có tổn thất điện áp dẫn thấp và khả năng chịu điện áp cao.

- MOSFET: MOSFET là một bóng bán dẫn hiệu ứng trường điều khiển dòng điện trong chất bán dẫn thông qua điện áp cổng. Khi điện áp cổng vượt quá điện áp nguồn, một lớp dẫn điện sẽ hình thành, cho phép dòng điện chạy qua. Ngược lại, khi điện áp cổng dưới ngưỡng, lớp dẫn điện biến mất và dòng điện không thể chạy qua. Hoạt động của MOSFET tương đối đơn giản với tốc độ chuyển mạch nhanh.

2. Lĩnh vực ứng dụng

- IGBT: Do khả năng chịu điện áp cao, tổn thất điện áp dẫn thấp và hiệu suất chuyển mạch nhanh, IGBT đặc biệt phù hợp với các ứng dụng công suất cao, tổn thất thấp như bộ biến tần, trình điều khiển động cơ, máy hàn và nguồn điện liên tục (UPS) . Trong các ứng dụng này, IGBT quản lý hiệu quả các hoạt động chuyển mạch điện áp cao và dòng điện cao.

- MOSFET: MOSFET, với phản hồi nhanh, điện trở đầu vào cao, hiệu suất chuyển mạch ổn định và chi phí thấp, được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển mạch nhanh, năng lượng thấp như nguồn điện chuyển đổi chế độ, ánh sáng, bộ khuếch đại âm thanh và mạch logic . MOSFET hoạt động cực kỳ tốt trong các ứng dụng năng lượng thấp và điện áp thấp.