Lựa chọn MOSFET | Nguyên tắc xây dựng MOSFET kênh N

MOSFET bao gồm chất nền loại p và hai vùng trải n có giá trị nồng độ cao được gọi là kênh nMOSFET, còn kênh dẫn do kênh dẫn loại n gây ra là do các đường trải n trong hai đường dẫn trải n có giá trị nồng độ cao khi ống dẫn. MOSFET dày kênh n có kênh n do kênh dẫn điện gây ra khi độ lệch hướng dương được nâng lên càng nhiều càng tốt ở cổng và chỉ khi hoạt động của nguồn cổng yêu cầu điện áp hoạt động vượt quá điện áp ngưỡng. MOSFET suy giảm kênh n là những MOSFET chưa sẵn sàng với điện áp cổng (hoạt động của nguồn cổng yêu cầu điện áp hoạt động bằng 0). MOSFET suy giảm ánh sáng kênh n là MOSFET kênh n trong đó kênh dẫn điện được tạo ra khi điện áp cổng (điện áp hoạt động yêu cầu nguồn cổng bằng 0) không được chuẩn bị.

      Mạch tích hợp NMOSFET là mạch cấp nguồn MOSFET kênh N, mạch tích hợp NMOSFET, điện trở đầu vào rất cao, đại đa số không phải tiêu hóa sự hấp thụ của dòng điện, và do đó các mạch tích hợp CMOSFE và NMOSFET được kết nối mà không cần phải tính đến tính toán tải của dòng điện. Các mạch tích hợp NMOSFET, phần lớn việc lựa chọn mạch cung cấp điện chuyển mạch tích cực một nhóm mạch cung cấp điện Phần lớn các mạch tích hợp NMOSFET sử dụng một nguồn điện chuyển mạch tích cực duy nhất mạch cấp nguồn và mạch cấp nguồn tới 9V. Mạch tích hợp CMOSFET chỉ cần sử dụng mạch cấp nguồn chuyển mạch giống như mạch tích hợp NMOSFET, có thể kết nối ngay với mạch tích hợp NMOSFET. Tuy nhiên, từ NMOSFET đến CMOSFET ngay lập tức được kết nối, vì điện trở kéo lên đầu ra NMOSFET nhỏ hơn điện trở kéo lên của mạch tích hợp CMOSFET, vì vậy hãy thử áp dụng một điện trở kéo lên chênh lệch tiềm năng R, giá trị của điện trở R là thường là 2 đến 100KΩ.