MOSFET, được gọi là Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại, là một thiết bị điện tử được sử dụng rộng rãi thuộc loại Transistor hiệu ứng trường (FET). Cấu trúc chính củamột MOSFETbao gồm một cổng kim loại, một lớp cách điện oxit (thường là Silicon Dioxide SiO₂) và một lớp bán dẫn (thường là silicon Si). Nguyên lý hoạt động là điều khiển điện áp cổng làm thay đổi điện trường trên bề mặt hoặc bên trong chất bán dẫn, từ đó điều khiển dòng điện giữa nguồn và máng.
MOSFETcó thể được phân loại thành hai loại chính: kênh NMOSFET(NMOS) và kênh PMOSFET(PMOS). Trong NMOS, khi điện áp cổng dương so với nguồn, các kênh dẫn loại n được hình thành trên bề mặt bán dẫn, cho phép các electron di chuyển từ nguồn tới cực máng. Trong PMOS, khi điện áp cổng âm so với nguồn, các kênh dẫn loại p được hình thành trên bề mặt bán dẫn, cho phép các lỗ chạy từ nguồn tới cống.
MOSFETcó nhiều ưu điểm như trở kháng đầu vào cao, độ ồn thấp, tiêu thụ điện năng thấp và dễ tích hợp nên được sử dụng rộng rãi trong các mạch tương tự, mạch kỹ thuật số, quản lý năng lượng, điện tử công suất, hệ thống truyền thông và các lĩnh vực khác. Trong các mạch tích hợp,MOSFETlà các đơn vị cơ bản tạo nên các mạch logic CMOS (Chất bán dẫn oxit kim loại bổ sung). Mạch CMOS kết hợp các ưu điểm của NMOS và PMOS và được đặc trưng bởi mức tiêu thụ điện năng thấp, tốc độ cao và khả năng tích hợp cao.
Ngoài ra,MOSFETcó thể được phân loại thành loại tăng cường và loại cạn kiệt tùy theo kênh dẫn của chúng có được hình thành trước hay không. Loại nâng caoMOSFETở cổng điện áp bằng 0 khi kênh không dẫn điện, cần đặt một điện áp cổng nhất định để tạo thành kênh dẫn điện; trong khi loại cạn kiệtMOSFETở điện áp cổng bằng 0 khi kênh đã dẫn điện, điện áp cổng được sử dụng để kiểm soát độ dẫn của kênh.
Tóm lại,MOSFETlà một bóng bán dẫn hiệu ứng trường dựa trên cấu trúc bán dẫn oxit kim loại, điều chỉnh dòng điện giữa nguồn và cống bằng cách điều khiển điện áp cổng, đồng thời có nhiều ứng dụng và giá trị kỹ thuật quan trọng.
Thời gian đăng: 12-09-2024
