MOSFET (Transitor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại) có ba cực đó là:
Cổng:G, cổng của MOSFET tương đương với đế của bóng bán dẫn lưỡng cực và được sử dụng để điều khiển sự dẫn và cắt của MOSFET. Trong MOSFET, điện áp cổng (Vgs) xác định xem kênh dẫn điện có được hình thành giữa nguồn và cống hay không, cũng như độ rộng và độ dẫn của kênh dẫn điện. Cổng được làm bằng các vật liệu như kim loại, polysilicon, v.v. và được bao quanh bởi một lớp cách điện (thường là silicon dioxide) để ngăn dòng điện chạy trực tiếp vào hoặc ra khỏi cổng.
Nguồn:S, nguồn của MOSFET tương đương với bộ phát của bóng bán dẫn lưỡng cực và là nơi có dòng điện chạy qua. Trong MOSFET kênh N, nguồn thường được kết nối với cực âm (hoặc nối đất) của nguồn điện, trong khi ở MOSFET kênh P, nguồn được kết nối với cực dương của nguồn điện. Nguồn là một trong những bộ phận quan trọng hình thành nên kênh dẫn, có chức năng gửi các electron (kênh N) hoặc lỗ trống (kênh P) tới cực máng khi điện áp cổng đủ cao.
Làm khô hạn:D, cực máng của MOSFET tương đương với cực thu của bóng bán dẫn lưỡng cực và là nơi dòng điện chạy vào. Cống thường được nối với tải và hoạt động như một đầu ra dòng điện trong mạch. Trong MOSFET, cống là đầu kia của kênh dẫn điện và khi điện áp cổng điều khiển sự hình thành kênh dẫn giữa nguồn và cống, dòng điện có thể chạy từ nguồn qua kênh dẫn điện đến cống.
Tóm lại, cổng của MOSFET dùng để điều khiển bật tắt, nguồn là nơi dòng điện đi ra, còn cực máng là nơi dòng điện chạy vào. Ba cực này cùng nhau xác định trạng thái hoạt động và hiệu suất của MOSFET .
Thời gian đăng: 26-09-2024
