MOSFET hoạt động như thế nào?

1, MOSFETgiới thiệu

Tên viết tắt của FieldEffect Transistor (FET)) MOSFET. bởi một số lượng nhỏ chất mang tham gia dẫn nhiệt, còn được gọi là bóng bán dẫn đa cực. Nó thuộc về cơ chế bán siêu dẫn loại làm chủ điện áp. Có điện trở đầu ra cao (10^8 ~ 10^9Ω), độ ồn thấp, tiêu thụ điện năng thấp, phạm vi tĩnh, dễ tích hợp, không có hiện tượng sự cố thứ hai, nhiệm vụ bảo hiểm trên biển rộng và các lợi thế khác, giờ đây đã thay đổi bóng bán dẫn lưỡng cực và bóng bán dẫn tiếp sức của các cộng tác viên mạnh mẽ.

 

2, Đặc tính MOSFET

1, MOSFET là một thiết bị điều khiển điện áp, nó thông qua ID điều khiển VGS (điện áp nguồn cổng) (cống DC);

2, MOSFETCực DC đầu ra nhỏ nên điện trở đầu ra lớn.

3, đó là việc áp dụng một số lượng nhỏ chất mang để dẫn nhiệt, do đó anh ta có biện pháp ổn định tốt hơn;

4, nó bao gồm đường giảm của hệ số giảm điện nhỏ hơn triode bao gồm đường giảm của hệ số giảm;

5, Khả năng chống bức xạ MOSFET;

6, do không có hoạt động bị lỗi của sự phân tán oligon do các hạt nhiễu phân tán gây ra nên độ ồn thấp.

 

3、Nguyên tắc nhiệm vụ MOSFET

MOSFETNguyên tắc hoạt động trong một câu là "cống - nguồn giữa ID chảy qua kênh cho cổng và kênh giữa điểm nối pn được hình thành bởi sự phân cực ngược của điện áp cổng ID chủ", nói chính xác là ID chảy qua chiều rộng của đường dẫn, tức là diện tích mặt cắt kênh, là sự thay đổi độ lệch ngược của điểm nối pn, tạo ra lớp suy giảm Lý do cho việc kiểm soát biến thể mở rộng. Trong vùng biển không bão hòa VGS=0, do độ giãn nở của lớp chuyển tiếp không lớn lắm nên do sự bổ sung của từ trường VDS giữa nguồn thoát, một số electron trong biển nguồn bị kéo đi bởi cống, tức là có hoạt động DC ID từ cống đến nguồn. Lớp vừa phải được mở rộng từ cổng đến cống khiến toàn bộ thân kênh tạo thành kiểu chặn, ID đầy. Gọi hình thức này là một nhúm. Tượng trưng cho lớp chuyển tiếp sang kênh của toàn bộ vật cản, thay vì nguồn DC bị cắt.

 

Do không có chuyển động tự do của các electron và lỗ trống trong lớp chuyển tiếp nên nó có đặc tính gần như cách điện ở dạng lý tưởng và rất khó để dòng điện chung chạy qua. Nhưng sau đó, điện trường giữa cực - nguồn, trên thực tế, hai lớp chuyển tiếp tiếp xúc cực và cực cổng gần phần dưới, bởi vì điện trường trôi kéo các electron tốc độ cao qua lớp chuyển tiếp. Cường độ của trường trôi gần như không đổi tạo ra sự đầy đủ của cảnh ID.

 

Mạch sử dụng kết hợp MOSFET kênh P nâng cao và MOSFET kênh N nâng cao. Khi đầu vào ở mức thấp, MOSFET kênh P sẽ dẫn điện và đầu ra được kết nối với cực dương của nguồn điện. Khi đầu vào ở mức cao, MOSFET kênh N sẽ dẫn điện và đầu ra được nối với đất của nguồn điện. Trong mạch này, MOSFET kênh P và MOSFET kênh N luôn hoạt động ở trạng thái ngược nhau, với pha đầu vào và đầu ra đảo ngược.