Ngày nay trên các thiết bị công suất cao thường được sử dụngMOSFETđể giới thiệu ngắn gọn nguyên tắc làm việc của nó. Hãy xem nó thực hiện công việc của mình như thế nào.
Chất bán dẫn Metal-Oxide hay còn gọi là Chất bán dẫn Oxit kim loại, chính xác là tên này mô tả cấu trúc của MOSFET trong mạch tích hợp, nghĩa là: trong một cấu trúc nhất định của thiết bị bán dẫn, kết hợp với silicon dioxide và kim loại, sự hình thành của cổng.
Nguồn và cống của MOSFET có thể đối lập nhau, cả hai đều là vùng loại N được hình thành trong cổng sau loại P. Trong hầu hết các trường hợp, hai khu vực đều giống nhau, ngay cả khi hai đầu điều chỉnh sẽ không ảnh hưởng đến hoạt động của thiết bị thì thiết bị đó được coi là đối xứng.
Phân loại: theo loại vật liệu kênh và loại cổng cách nhiệt của từng kênh N và kênh P; theo chế độ dẫn điện: MOSFET được chia thành suy giảm và tăng cường, do đó MOSFET được chia thành suy giảm và tăng cường kênh N; Sự suy giảm kênh P và tăng cường bốn loại chính.
Nguyên lý hoạt động của MOSFET - đặc điểm cấu tạo củaMOSFETnó chỉ dẫn một sóng mang phân cực (polys) tham gia vào chất dẫn điện, đó là một bóng bán dẫn đơn cực. Cơ chế dẫn điện giống như MOSFET công suất thấp, nhưng cấu trúc có sự khác biệt lớn, MOSFET công suất thấp là thiết bị dẫn điện nằm ngang, hầu hết cấu trúc dẫn điện dọc MOSFET công suất, còn được gọi là VMOSFET, giúp cải thiện đáng kể MOSFET khả năng chịu được điện áp và dòng điện của thiết bị. Đặc điểm chính là có một lớp cách nhiệt silica giữa cổng kim loại và kênh, do đó có điện trở đầu vào cao, ống dẫn ở hai vùng khuếch tán n nồng độ cao để tạo thành kênh dẫn loại n. MOSFET tăng cường kênh n phải được áp dụng cho cổng có độ lệch thuận và chỉ khi điện áp nguồn cổng lớn hơn điện áp ngưỡng của kênh dẫn do MOSFET kênh n tạo ra. MOSFET loại suy giảm kênh n là MOSFET kênh n trong đó các kênh dẫn được tạo ra khi không áp dụng điện áp cổng (điện áp nguồn cổng bằng 0).
Nguyên lý hoạt động của MOSFET là kiểm soát lượng "điện tích cảm ứng" bằng cách sử dụng VGS để thay đổi trạng thái của kênh dẫn được hình thành bởi "điện tích cảm ứng", sau đó đạt được mục đích kiểm soát dòng thoát. Trong sản xuất ống, thông qua quá trình lớp cách điện xuất hiện một số lượng lớn các ion dương, do đó, ở phía bên kia của giao diện có thể tạo ra nhiều điện tích âm hơn, những điện tích âm này dẫn đến sự xâm nhập cao của tạp chất trong N vùng được kết nối với sự hình thành kênh dẫn điện, thậm chí ở VGS = 0 cũng có ID dòng rò lớn. khi điện áp cổng thay đổi, lượng điện tích cảm ứng trong kênh cũng thay đổi, độ rộng và độ hẹp kênh dẫn của kênh cũng thay đổi, do đó ID dòng rò với điện áp cổng cũng thay đổi. ID hiện tại thay đổi theo điện áp cổng.
Hiện nay việc áp dụngMOSFETđã cải thiện đáng kể việc học tập, hiệu quả công việc của mọi người, đồng thời cải thiện chất lượng cuộc sống của chúng ta. Chúng ta có sự hiểu biết hợp lý hơn về nó thông qua một số cách hiểu đơn giản. Nó không chỉ được sử dụng như một công cụ, hiểu rõ hơn về đặc điểm của nó, nguyên lý làm việc mà còn mang lại cho chúng ta rất nhiều niềm vui.
Thời gian đăng: 18-04-2024
