MOSFET (Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại) thường được coi là thiết bị được điều khiển hoàn toàn. Điều này là do trạng thái hoạt động (bật hoặc tắt) của MOSFET được điều khiển hoàn toàn bởi điện áp cổng (Vgs) và không phụ thuộc vào dòng điện cơ sở như trong trường hợp bóng bán dẫn lưỡng cực (BJT).
Trong MOSFET, điện áp cổng VSS xác định liệu kênh dẫn có được hình thành giữa nguồn và cống hay không, cũng như độ rộng và độ dẫn của kênh dẫn. Khi VSS vượt quá điện áp ngưỡng Vt, kênh dẫn điện được hình thành và MOSFET chuyển sang trạng thái bật; khi VSS giảm xuống dưới Vt, kênh dẫn biến mất và MOSFET ở trạng thái cắt. Điều khiển này được điều khiển hoàn toàn vì điện áp cổng có thể điều khiển độc lập và chính xác trạng thái hoạt động của MOSFET mà không cần dựa vào các thông số dòng điện hoặc điện áp khác.
Ngược lại, trạng thái hoạt động của các thiết bị điều khiển một nửa (ví dụ như thyristor) không chỉ bị ảnh hưởng bởi điện áp hoặc dòng điện điều khiển mà còn bởi các yếu tố khác (ví dụ: điện áp anode, dòng điện, v.v.). Kết quả là, các thiết bị được điều khiển hoàn toàn (ví dụ: MOSFET) thường mang lại hiệu suất tốt hơn về độ chính xác và tính linh hoạt của điều khiển.
Tóm lại, MOSFET là thiết bị được điều khiển hoàn toàn, trạng thái hoạt động được điều khiển hoàn toàn bởi điện áp cổng và có ưu điểm là độ chính xác cao, tính linh hoạt cao và tiêu thụ điện năng thấp.
Thời gian đăng: 20-09-2024
