Transistor hiệu ứng trường viết tắt làMOSFET.Có hai loại chính: ống hiệu ứng trường nối và ống hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại. MOSFET còn được gọi là bóng bán dẫn đơn cực với phần lớn các hạt tải điện tham gia vào độ dẫn điện. Chúng là những thiết bị bán dẫn được điều khiển bằng điện áp. Do điện trở đầu vào cao, độ ồn thấp, tiêu thụ điện năng thấp và các đặc tính khác, khiến nó trở thành đối thủ cạnh tranh mạnh mẽ với bóng bán dẫn lưỡng cực và bóng bán dẫn điện.
I. Các thông số chính của MOSFET
1, thông số DC
Dòng thoát bão hòa có thể được định nghĩa là dòng thoát tương ứng khi điện áp giữa cổng và nguồn bằng 0 và điện áp giữa cống và nguồn lớn hơn điện áp ngắt.
Điện áp ngắt UP: UGS cần thiết để giảm ID xuống dòng điện nhỏ khi UDS chắc chắn;
Điện áp bật UT: UGS cần thiết để đưa ID về một giá trị nhất định khi UDS chắc chắn.
2、Thông số AC
Độ dẫn điện tần số thấp gm : Mô tả tác dụng điều khiển của điện áp cổng và nguồn đối với dòng thoát.
Điện dung giữa các cực: điện dung giữa ba điện cực của MOSFET, giá trị càng nhỏ thì hiệu suất càng tốt.
3、Giới hạn tham số
Điện áp đánh thủng nguồn, xả: khi dòng xả tăng mạnh sẽ tạo ra sự cố tuyết lở khi UDS.
Điện áp đánh thủng cổng: Ống tác động trường tiếp nối hoạt động bình thường, cổng và nguồn giữa điểm nối PN ở trạng thái phân cực ngược, dòng điện quá lớn sẽ tạo ra sự cố.
II. Đặc điểm củaMOSFET
MOSFET có chức năng khuếch đại và có thể tạo thành mạch khuếch đại. So với triode, nó có các đặc điểm sau.
(1) MOSFET là thiết bị được điều khiển bằng điện áp và điện thế được điều khiển bởi UGS;
(2) Dòng điện ở đầu vào của MOSFET cực kỳ nhỏ nên điện trở đầu vào của nó rất cao;
(3) Độ ổn định nhiệt độ của nó tốt vì nó sử dụng đa số chất mang để dẫn điện;
(4) Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại của nó nhỏ hơn hệ số khuếch đại của triode;
(5) Nó có khả năng chống bức xạ cao hơn.
Thứ ba,MOSFET và so sánh bóng bán dẫn
(1) Nguồn MOSFET, cổng, cống và nguồn triode, đế, cực điểm đặt tương ứng với vai trò tương tự.
(2) MOSFET là thiết bị điều khiển dòng điện bằng điện áp, hệ số khuếch đại nhỏ, khả năng khuếch đại kém; triode là thiết bị điện áp điều khiển dòng điện, khả năng khuếch đại mạnh.
(3) Cổng MOSFET về cơ bản không nhận dòng điện; và triode hoạt động thì đế sẽ hấp thụ một dòng điện nhất định. Do đó, điện trở đầu vào của cổng MOSFET cao hơn điện trở đầu vào của triode.
(4) Quá trình dẫn điện của MOSFET có sự tham gia của polytron và triode có sự tham gia của hai loại chất mang là polytron và oligotron, và nồng độ oligotron của nó bị ảnh hưởng rất lớn bởi nhiệt độ, bức xạ và các yếu tố khác, do đó, MOSFET có độ ổn định nhiệt độ và khả năng chống bức xạ tốt hơn so với bóng bán dẫn. Nên lựa chọn MOSFET khi điều kiện môi trường thay đổi nhiều.
(5) Khi MOSFET được kết nối với kim loại nguồn và đế, nguồn và cống có thể được trao đổi và các đặc tính không thay đổi nhiều, trong khi khi bộ thu và bộ phát của bóng bán dẫn được trao đổi, các đặc tính khác nhau và giá trị β được giảm bớt.
(6) Hệ số nhiễu của MOSFET nhỏ.
(7) MOSFET và triode có thể bao gồm nhiều loại mạch khuếch đại và mạch chuyển mạch, nhưng loại trước tiêu thụ ít điện năng hơn, độ ổn định nhiệt cao, dải điện áp cung cấp rộng nên được sử dụng rộng rãi ở quy mô lớn và siêu lớn- mạch tích hợp quy mô.
(8) Điện trở của triode lớn và điện trở của MOSFET nhỏ, do đó MOSFET thường được sử dụng làm công tắc có hiệu suất cao hơn.
Thời gian đăng: 16-05-2024
