Lựa chọn MOSFET | Nguyên tắc xây dựng MOSFET kênh N

tin tức

Lựa chọn MOSFET | Nguyên tắc xây dựng MOSFET kênh N

Cấu trúc Metal-Oxide-SemIConductor của Transistor tinh thể thường được gọi làMOSFET, trong đó MOSFET được chia thành MOSFET loại P và MOSFET loại N. Các mạch tích hợp bao gồm MOSFET còn được gọi là mạch tích hợp MOSFET và các mạch tích hợp MOSFET có liên quan chặt chẽ bao gồm PMOSFET vàNMOSFET được gọi là mạch tích hợp CMOSFET.

Sơ đồ mạch MOSFET kênh N 1

MOSFET bao gồm chất nền loại p và hai vùng trải n có giá trị nồng độ cao được gọi là kênh nMOSFET, còn kênh dẫn do kênh dẫn loại n gây ra là do các đường trải n trong hai đường trải n có giá trị nồng độ cao khi ống dẫn. MOSFET dày kênh n có kênh n do kênh dẫn điện gây ra khi độ lệch hướng dương được nâng lên càng nhiều càng tốt ở cổng và chỉ khi hoạt động của nguồn cổng yêu cầu điện áp hoạt động vượt quá điện áp ngưỡng. MOSFET suy giảm kênh n là những MOSFET chưa sẵn sàng với điện áp cổng (hoạt động nguồn cổng yêu cầu điện áp hoạt động bằng 0). MOSFET suy giảm ánh sáng kênh n là MOSFET kênh n trong đó kênh dẫn điện được tạo ra khi điện áp cổng (điện áp hoạt động yêu cầu nguồn cổng bằng 0) không được chuẩn bị.

      Mạch tích hợp NMOSFET là mạch cấp nguồn MOSFET kênh N, mạch tích hợp NMOSFET, điện trở đầu vào rất cao, đại đa số không phải tiêu hóa sự hấp thụ của dòng điện, và do đó các mạch tích hợp CMOSFE và NMOSFET được kết nối mà không cần phải tính đến tính đến tải của dòng điện. Các mạch tích hợp NMOSFET, phần lớn việc lựa chọn mạch cấp nguồn chuyển mạch dương một nhóm. Phần lớn các mạch tích hợp NMOSFET sử dụng một mạch cấp nguồn chuyển mạch dương duy nhất, và để 9V để biết thêm. Mạch tích hợp CMOSFET chỉ cần sử dụng mạch cấp nguồn chuyển mạch giống như mạch tích hợp NMOSFET, có thể kết nối ngay với mạch tích hợp NMOSFET. Tuy nhiên, từ NMOSFET đến CMOSFET được kết nối ngay lập tức, vì điện trở kéo lên đầu ra NMOSFET nhỏ hơn điện trở kéo lên của mạch tích hợp CMOSFET, vì vậy hãy thử áp dụng một điện trở kéo lên chênh lệch tiềm năng R, giá trị của điện trở R là thường là 2 đến 100KΩ.

MOSFET WINSOK TO-263-2L

Cấu tạo MOSFET dày kênh N
Trên đế silicon loại P có giá trị nồng độ pha tạp thấp, hai vùng N có giá trị nồng độ pha tạp cao được tạo ra và hai điện cực được rút ra từ kim loại nhôm để đóng vai trò là cống d và nguồn s, tương ứng.

Sau đó ở bề mặt linh kiện bán dẫn che một lớp ống cách điện silica rất mỏng, ở ống cách điện nguồn - máng giữa cống và nguồn của một điện cực nhôm khác, làm cổng g.

Trong chất nền cũng dẫn ra một điện cực B, bao gồm MOSFET dày kênh N. Nguồn MOSFET và chất nền thường được kết nối với nhau, phần lớn đường ống trong nhà máy đã được kết nối với nó từ lâu, cổng của nó và các điện cực khác được cách điện giữa vỏ.


Thời gian đăng: 26-05-2024