Đây là một gói được đóng góiMOSFETcảm biến hồng ngoại nhiệt điện.Khung hình chữ nhật là cửa sổ cảm biến.Chân G là cực nối đất, chân D là cống MOSFET bên trong và chân S là nguồn MOSFET bên trong.Trong mạch, G được nối đất, D được nối với nguồn điện dương, tín hiệu hồng ngoại là đầu vào từ cửa sổ và tín hiệu điện là đầu ra từ S.
Cổng phán xét G
Trình điều khiển MOS chủ yếu đóng vai trò định hình dạng sóng và tăng cường điều khiển: Nếu dạng sóng tín hiệu G củaMOSFETkhông đủ dốc sẽ gây tổn thất điện năng lớn trong giai đoạn chuyển mạch.Tác dụng phụ của nó là làm giảm hiệu suất chuyển đổi mạch.MOSFET sẽ bị sốt nặng và dễ bị hư hỏng do nhiệt.Có một điện dung nhất định giữa các MOSFETGS., nếu khả năng điều khiển tín hiệu G không đủ, nó sẽ ảnh hưởng nghiêm trọng đến thời gian nhảy dạng sóng.
Đoản mạch cực GS, chọn mức R×1 của đồng hồ vạn năng, nối dây thử màu đen với cực S và dây thử màu đỏ với cực D.Điện trở phải từ vài Ω đến hơn 10 Ω.Nếu phát hiện thấy điện trở của một chân nhất định và hai chân của nó là vô hạn và vẫn vô hạn sau khi trao đổi dây dẫn thử nghiệm thì người ta xác nhận rằng chân này là cực G vì nó được cách điện với hai chân còn lại.
Xác định nguồn S và cống D
Đặt đồng hồ vạn năng thành R×1k và đo điện trở giữa ba chân tương ứng.Sử dụng phương pháp thử nghiệm trao đổi để đo điện trở hai lần.Điện trở có giá trị điện trở thấp hơn (thường từ vài nghìn Ω đến hơn mười nghìn Ω) là điện trở thuận.Lúc này, dây đo màu đen là cực S và dây đo màu đỏ được nối với cực D.Do các điều kiện thử nghiệm khác nhau nên giá trị RDS(bật) đo được cao hơn giá trị điển hình được nêu trong hướng dẫn sử dụng.
VềMOSFET
Transistor có kênh loại N nên gọi là kênh NMOSFET, hoặcNMOS.FET MOS kênh P (PMOS) cũng tồn tại, là một PMOSFE bao gồm BACKGATE loại N pha tạp nhẹ và nguồn và cống loại P.
Bất kể MOSFET loại N hay loại P, nguyên lý hoạt động của nó về cơ bản đều giống nhau.MOSFET điều khiển dòng điện tại cực xả của cực đầu ra bằng điện áp đặt vào cổng của cực đầu vào.MOSFET là một thiết bị điều khiển bằng điện áp.Nó điều khiển các đặc tính của thiết bị thông qua điện áp đặt vào cổng.Nó không gây ra hiệu ứng lưu trữ điện tích do dòng điện cơ sở gây ra khi sử dụng bóng bán dẫn để chuyển mạch.Vì vậy, trong việc chuyển đổi ứng dụng,MOSFETnên chuyển đổi nhanh hơn bóng bán dẫn.
FET cũng có tên như vậy vì đầu vào của nó (được gọi là cổng) ảnh hưởng đến dòng điện chạy qua bóng bán dẫn bằng cách chiếu một điện trường lên một lớp cách điện.Trên thực tế, không có dòng điện chạy qua chất cách điện này nên dòng GATE của ống FET rất nhỏ.
FET phổ biến nhất sử dụng một lớp silicon dioxide mỏng làm chất cách điện dưới GATE.
Loại bóng bán dẫn này được gọi là bóng bán dẫn bán dẫn oxit kim loại (MOS), hoặc bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại (MOSFET).Vì MOSFET nhỏ hơn và tiết kiệm điện hơn nên chúng đã thay thế các bóng bán dẫn lưỡng cực trong nhiều ứng dụng.
Thời gian đăng: Nov-10-2023
