Khi thiết kế nguồn điện chuyển mạch hoặc mạch điều khiển động cơ sử dụngMOSFET, các yếu tố như điện trở, điện áp tối đa và dòng điện tối đa của MOS thường được xem xét.
Ống MOSFET là một loại FET có thể được chế tạo thành loại tăng cường hoặc loại suy giảm, kênh P hoặc kênh N cho tổng số 4 loại. NMOSFET cải tiến và PMOSFET cải tiến thường được sử dụng và hai loại này thường được đề cập.
Hai cái này được sử dụng phổ biến hơn là NMOS. Lý do là điện trở dẫn điện nhỏ và dễ chế tạo. Vì vậy, NMOS thường được sử dụng trong các ứng dụng chuyển mạch nguồn điện và điều khiển động cơ.
Bên trong MOSFET, một thyristor được đặt giữa cực máng và nguồn, điều này rất quan trọng trong việc điều khiển các tải cảm ứng như động cơ và chỉ hiện diện trong một MOSFET duy nhất, thường không có trong chip mạch tích hợp.
Điện dung ký sinh tồn tại giữa ba chân của MOSFET, không phải chúng ta cần mà do hạn chế của quá trình sản xuất. Sự hiện diện của điện dung ký sinh khiến việc thiết kế hoặc lựa chọn mạch điều khiển trở nên cồng kềnh hơn nhưng không thể tránh khỏi.
Các thông số chính củaMOSFET
1, điện áp mở VT
Điện áp mở (còn gọi là điện áp ngưỡng): sao cho điện áp cổng yêu cầu bắt đầu hình thành kênh dẫn giữa nguồn S và cống D; MOSFET kênh N tiêu chuẩn, VT khoảng 3 ~ 6V; thông qua cải tiến quy trình, giá trị MOSFET VT có thể giảm xuống 2 ~ 3V.
2, Điện trở đầu vào DC RGS
Tỷ lệ điện áp bổ sung giữa cực nguồn cổng và dòng điện cổng Đặc tính này đôi khi được thể hiện bằng dòng điện cổng chạy qua cổng, RGS của MOSFET có thể dễ dàng vượt quá 1010Ω.
3. Sự cố nguồn xả điện áp BVDS.
Trong điều kiện VGS = 0 (tăng cường), trong quá trình tăng điện áp nguồn xả, ID tăng mạnh khi VDS gọi là điện áp đánh thủng nguồn xả BVDS, ID tăng mạnh do hai nguyên nhân: (1) tuyết lở sự cố của lớp cạn kiệt gần cống, (2) sự cố thâm nhập giữa cực cống và cực nguồn, một số MOSFET có chiều dài rãnh ngắn hơn, tăng VDS để lớp cống trong vùng cống được mở rộng sang vùng nguồn, làm cho Độ dài Kênh bằng 0, nghĩa là để tạo ra sự xuyên, xuyên của nguồn thoát, hầu hết các sóng mang trong vùng nguồn sẽ bị điện trường của lớp cạn kiệt thu hút trực tiếp vào vùng Drain, dẫn đến ID lớn .
4, điện áp sự cố nguồn cổng BVGS
Khi điện áp cổng tăng, VGS khi IG tăng từ 0 được gọi là điện áp đánh thủng nguồn cổng BVGS.
5、Độ dẫn tần số thấp
Khi VDS là một giá trị cố định, tỷ lệ giữa sự biến thiên vi mô của dòng thoát với sự biến thiên vi mô của điện áp nguồn cổng gây ra sự thay đổi được gọi là độ dẫn điện, phản ánh khả năng của điện áp nguồn cổng để điều khiển dòng thoát và là một thông số quan trọng đặc trưng cho khả năng khuếch đại củaMOSFET.
6, RON kháng chiến
RON trên điện trở thể hiện tác dụng của VDS lên ID, là nghịch đảo của độ dốc tiếp tuyến của đặc tính thoát nước tại một điểm nhất định, trong vùng bão hòa ID gần như không thay đổi theo VDS, RON rất lớn giá trị, thường từ hàng chục kilo-Ohms đến hàng trăm kilo-Ohms, vì trong các mạch kỹ thuật số, MOSFET thường hoạt động ở trạng thái dẫn điện VDS = 0, vì vậy tại thời điểm này, RON trên điện trở có thể xấp xỉ bằng nguồn gốc của RON gần đúng, đối với MOSFET thông thường, giá trị RON trong khoảng vài trăm ohm.
7, điện dung liên cực
Điện dung liên cực tồn tại giữa ba điện cực: điện dung nguồn cổng CGS, điện dung cống cổng CGD và điện dung nguồn cống CDS-CGS và CGD khoảng 1~3pF, CDS khoảng 0,1~1pF.
8、Hệ số nhiễu tần số thấp
Tiếng ồn được gây ra bởi sự chuyển động bất thường của các chất mang trong đường ống. Do sự hiện diện của nó, sự thay đổi điện áp hoặc dòng điện không đều xảy ra ở đầu ra ngay cả khi không có tín hiệu nào được cung cấp bởi bộ khuếch đại. Hiệu suất tiếng ồn thường được thể hiện dưới dạng hệ số tiếng ồn NF. Đơn vị là decibel (dB). Giá trị càng nhỏ thì ống tạo ra càng ít tiếng ồn. Hệ số nhiễu tần số thấp là hệ số nhiễu được đo ở dải tần số thấp. Hệ số nhiễu của ống hiệu ứng trường khoảng vài dB, nhỏ hơn hệ số nhiễu của đèn ba cực lưỡng cực.
Thời gian đăng: 24-04-2024
