Phương pháp sản xuất mạch điều khiển MOSFET công suất cao

Có hai giải pháp chính:

Một là sử dụng chip điều khiển chuyên dụng để điều khiển MOSFET, hoặc sử dụng bộ ghép quang nhanh, các bóng bán dẫn tạo thành một mạch để điều khiển MOSFET, nhưng cách tiếp cận đầu tiên yêu cầu cung cấp nguồn điện độc lập; loại biến áp xung khác để điều khiển MOSFET, và trong mạch điều khiển xung, làm thế nào để cải thiện tần số chuyển mạch của mạch điều khiển để tăng công suất điều khiển, càng nhiều càng tốt, để giảm số lượng linh kiện, là nhu cầu cấp thiết để giải quyếtvấn đề hiện tại.

Loại sơ đồ truyền động đầu tiên, nửa cầu yêu cầu hai nguồn điện độc lập; toàn cầu yêu cầu ba nguồn cung cấp điện độc lập, cả nửa cầu và toàn cầu, quá nhiều thành phần, không có lợi cho việc giảm chi phí.

Loại chương trình lái xe thứ hai và bằng sáng chế là nghệ thuật gần gũi nhất với tên phát minh là "chiếc xe công suất cao".MOSFET bằng sáng chế mạch điều khiển" (số ứng dụng 200720309534. 8), bằng sáng chế chỉ bổ sung thêm điện trở phóng điện để giải phóng nguồn cổng của điện tích MOSFET công suất cao, để đạt được mục đích tắt, cạnh rơi của tín hiệu PWM lớn. cạnh rơi của tín hiệu PLC lớn, điều này sẽ dẫn đến MOSFET tắt chậm, tổn thất điện năng rất lớn;

Ngoài ra, chương trình MOSFET bằng sáng chế hoạt động dễ bị nhiễu và chip điều khiển PWM cần có công suất đầu ra lớn, khiến nhiệt độ chip cao, ảnh hưởng đến tuổi thọ của chip. Nội dung của sáng chế Mục đích của mô hình tiện ích này là cung cấp mạch điều khiển MOSFET công suất cao, hoạt động ổn định hơn và bằng 0 để đạt được mục đích của giải pháp kỹ thuật phát minh mô hình tiện ích này - mạch điều khiển MOSFET công suất cao, đầu ra tín hiệu của chip điều khiểnPWM được kết nối với máy biến áp xung sơ cấp, đầu ra đầu tiên of biến áp xung thứ cấp được kết nối với cổng MOSFET thứ nhất, đầu ra thứ hai của biến áp xung thứ cấp được kết nối với cổng MOSFET thứ nhất, đầu ra thứ hai của biến áp xung thứ cấp được kết nối với cổng MOSFET thứ nhất. Đầu ra thứ nhất của thứ cấp biến áp xung được kết nối với cổng của MOSFET thứ nhất, đầu ra thứ hai của thứ cấp biến áp xung được kết nối với cổng của MOSFET thứ hai, đặc trưng ở chỗ đầu ra thứ nhất của thứ cấp biến áp xung cũng được kết nối đến bóng bán dẫn phóng điện thứ nhất, và đầu ra thứ hai của biến áp xung thứ cấp cũng được kết nối với bóng bán dẫn phóng điện thứ hai. Phía sơ cấp của máy biến áp xung cũng được kết nối với mạch giải phóng và lưu trữ năng lượng.

Mạch giải phóng lưu trữ năng lượng bao gồm một điện trở, một tụ điện và một diode, điện trở và tụ điện được mắc song song, và mạch song song nói trên được mắc nối tiếp với diode. Mô hình tiện ích có tác dụng hữu ích Mô hình tiện ích cũng có một bóng bán dẫn phóng điện thứ nhất được kết nối với đầu ra thứ nhất của máy biến áp thứ cấp và một bóng bán dẫn phóng điện thứ hai được kết nối với đầu ra thứ hai của máy biến áp xung, để khi máy biến áp xung xuất ra mức thấp cấp độ, MOSFET thứ nhất và MOSFET thứ hai có thể được xả nhanh chóng để cải thiện tốc độ tắt của MOSFET và giảm tổn thất MOSFET. Tín hiệu của chip điều khiển PLC được kết nối với MOSFET khuếch đại tín hiệu giữa đầu ra chính và xung sơ cấp máy biến áp, trong đó có thể được sử dụng để khuếch đại tín hiệu. Đầu ra tín hiệu của chip điều khiểnPWM và biến áp xung sơ cấp được kết nối với MOSFET để khuếch đại tín hiệu, điều này có thể cải thiện hơn nữa khả năng điều khiển của tín hiệuPWM.

Máy biến áp xung sơ cấp cũng được kết nối với mạch giải phóng lưu trữ năng lượng, khi tín hiệuPWM ở mức thấp, mạch giải phóng lưu trữ năng lượng sẽ giải phóng năng lượng tích trữ trong máy biến áp xung khiPWM ở mức cao, đảm bảo cổng Nguồn của MOSFET thứ nhất và MOSFET thứ hai cực thấp, có vai trò ngăn chặn nhiễu.

Trong một triển khai cụ thể, MOSFET Q1 công suất thấp để khuếch đại tín hiệu được kết nối giữa cực đầu ra tín hiệu A của chip điều khiểnPWM và cực sơ cấp của biến áp xung Tl, cực đầu ra đầu tiên của cực thứ cấp của biến áp xung được kết nối với cổng của MOSFET Q4 thứ nhất thông qua diode D1 và điện trở điều khiển Rl, đầu ra thứ hai của cực thứ cấp của biến áp xung được kết nối với cổng của MOSFET Q5 thứ hai thông qua diode D2 và điện trở điều khiển R2, và Đầu tiên Đầu ra của cực thứ cấp của biến áp xung cũng được kết nối với triode cống thứ nhất Q2, và triode cống thứ hai Q3 cũng được kết nối với triode cống thứ hai Q3. MOSFET Q5, đầu ra thứ nhất của thứ cấp biến áp xung cũng được kết nối với bóng bán dẫn cống thứ nhất Q2, và đầu ra thứ hai của thứ cấp biến áp xung cũng được kết nối với bóng bán dẫn cống thứ hai Q3.

Cổng của MOSFET Q4 đầu tiên được kết nối với điện trở thoát R3 và cổng của MOSFET Q5 thứ hai được kết nối với điện trở thoát R4. Phần sơ cấp của máy biến áp xung Tl cũng được kết nối với mạch lưu trữ và giải phóng năng lượng, còn mạch lưu trữ và giải phóng năng lượng bao gồm điện trở R5, tụ điện Cl và diode D3, điện trở R5 và tụ điện Cl được kết nối trong song song và mạch song song nói trên được mắc nối tiếp với diode D3. đầu ra tín hiệuPWM từ chip điều khiểnPWM được kết nối với MOSFET Q2 công suất thấp và MOSFET Q2 công suất thấp được kết nối với bộ thứ cấp của biến áp xung. được khuếch đại bởi MOSFET công suất thấp Ql và xuất ra cuộn sơ cấp của biến áp xung Tl. Khi tín hiệuPWM ở mức cao, cực đầu ra thứ nhất và cực đầu ra thứ hai của cực thứ cấp của biến áp xung Tl phát ra tín hiệu mức cao để điều khiển MOSFET Q4 thứ nhất và MOSFET Q5 thứ hai dẫn điện.

Khi tín hiệuPWM ở mức thấp, đầu ra thứ nhất và đầu ra thứ hai của biến áp xung Tl phát ra tín hiệu mức thấp, bóng bán dẫn cống thứ nhất Q2 và bóng bán dẫn cống thứ hai dẫn Q3, điện dung nguồn cổng MOSFETQ4 đầu tiên thông qua điện trở cống R3, Transistor cống Q2 đầu tiên để phóng điện, điện dung nguồn cổng MOSFETQ5 thứ hai thông qua điện trở cống R4, bóng bán dẫn cống thứ hai Q3 để phóng điện, điện dung nguồn cổng MOSFETQ5 thứ hai thông qua điện trở cống R4, bóng bán dẫn cống thứ hai Q3 để phóng điện, điện dung nguồn MOSFETQ5 thứ hai thông qua điện trở cống R4, bóng bán dẫn cống thứ hai Q3 để phóng điện. Điện dung nguồn cổng MOSFETQ5 thứ hai được phóng điện qua điện trở cống R4 và bóng bán dẫn cống thứ hai Q3, để MOSFET Q4 thứ nhất và MOSFET Q5 thứ hai có thể được tắt nhanh hơn và giảm tổn thất điện năng.

Khi tín hiệu điều khiển xung ở mức thấp, mạch giải phóng năng lượng dự trữ gồm điện trở R5, tụ điện Cl và diode D3 sẽ giải phóng năng lượng dự trữ trong biến áp xung khi xung điều chỉnh ở mức cao, đảm bảo nguồn cổng của MOSFET Q4 thứ nhất và MOSFET thứ hai Q5 cực thấp, phục vụ mục đích chống nhiễu. Diode Dl và diode D2 dẫn dòng điện đầu ra một chiều, do đó đảm bảo chất lượng của dạng sóng điều khiển, đồng thời, nó cũng đóng vai trò chống nhiễu ở một mức độ nhất định.