WSD3023DN56 N-Ch và P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD3023DN56 N-Ch và P-Channel 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

mô tả ngắn gọn:


  • Số mô hình:WSD3023DN56
  • BVDSS:30V/-30V
  • RDSON:14mΩ/23mΩ
  • NHẬN DẠNG:14A/-12A
  • Kênh:Kênh N-Ch và P
  • Bưu kiện:DFN5*6-8
  • Sản phẩm mùa hè:Điện áp của WSD3023DN56 MOSFET là 30V/-30V, dòng điện là 14A/-12A, điện trở là 14mΩ/23mΩ, kênh là N-Ch và P-Channel, và gói là DFN5*6-8.
  • Ứng dụng:Máy bay không người lái, động cơ, điện tử ô tô, thiết bị chính.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    WSD3023DN56 là MOSFET N-ch và P-ch rãnh hiệu suất cao nhất với mật độ tế bào cực cao, cung cấp RDSON và điện tích cổng tuyệt vời cho hầu hết các ứng dụng bộ chuyển đổi Buck đồng bộ. WSD3023DN56 đáp ứng yêu cầu về Sản phẩm Xanh và RoHS. Đảm bảo 100% EAS với độ tin cậy đầy đủ chức năng đã được phê duyệt.

    Đặc trưng

    Công nghệ rãnh mật độ tế bào cao tiên tiến, Phí cổng siêu thấp, Giảm hiệu ứng CdV/dt tuyệt vời, Đảm bảo 100% EAS, Có sẵn thiết bị xanh.

    Ứng dụng

    Bộ chuyển đổi Buck đồng bộ điểm tải tần số cao cho MB/NB/UMPC/VGA, Hệ thống điện DC-DC nối mạng, Biến tần đèn nền CCFL, Máy bay không người lái, động cơ, điện tử ô tô, thiết bị chính.

    số vật liệu tương ứng

    PANJIT PJQ5606

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng tham số Đánh giá Đơn vị
    N-Ch P-Ch
    VDS Điện áp nguồn xả 30 -30 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±20 ±20 V
    ID Dòng xả liên tục, VGS(NP)=10V,Ta=25oC 14* -12 A
    Dòng xả liên tục, VGS(NP)=10V,Ta=70oC 7,6 -9,7 A
    IDP một Đã kiểm tra dòng xả xung, VGS(NP)=10V 48 -48 A
    EAS c Năng lượng tuyết lở, xung đơn, L=0,5mH 20 20 mJ
    IAS c Dòng điện lở, xung đơn, L=0,5mH 9 -9 A
    PD Tổng công suất tiêu tán, Ta = 25oC 5,25 5,25 W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 175 -55 đến 175 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành 175 175 oC
    RqJA b Khả năng chịu nhiệt-Giao tiếp với môi trường xung quanh, trạng thái ổn định 60 60 oC/W
    RqJC Khả năng chịu nhiệt-Nối với vỏ, trạng thái ổn định 6,25 6,25 oC/W
    Biểu tượng tham số Điều kiện Tối thiểu. Đánh máy. Tối đa. Đơn vị
    BVDSS Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V
    RDS(BẬT)d Điện trở nguồn thoát tĩnh VGS=10V , ID=8A --- 14 18,5
    VGS=4.5V , ID=5A --- 17 25
    VGS(th) Điện áp ngưỡng cổng VGS=VDS , ID =250uA 1.3 1.8 2.3 V
    IDSS Dòng điện rò rỉ nguồn xả VDS=20V , VGS=0V , TJ=25oC --- --- 1 uA
    VDS=20V , VGS=0V , TJ=85oC --- --- 30
    IGSS Dòng rò cổng nguồn VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg Điện trở cổng VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.7 3,4 Ω
    Qge Tổng phí cổng VDS=15V, VGS=4.5V, IDS=8A --- 5.2 --- nC
    Qgse Phí cổng nguồn --- 1.0 ---
    Qgde Phí cổng thoát nước --- 2,8 ---
    Td(on)e Thời gian trễ bật VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. --- 6 --- ns
    Tre thời gian tăng --- 8,6 ---
    Td(tắt)e Thời gian trễ tắt --- 16 ---
    tfe Thời gian mùa thu --- 3.6 ---
    Cisse Điện dung đầu vào VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz --- 545 --- pF
    Cosse Điện dung đầu ra --- 95 ---
    Crosse Điện dung chuyển ngược --- 55 ---

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi