WSD30L88DN56 Kênh P kép -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

các sản phẩm

WSD30L88DN56 Kênh P kép -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

mô tả ngắn gọn:


  • Số mô hình:WSD30L88DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:11,5mΩ
  • NHẬN DẠNG:-49A
  • Kênh:Kênh P kép
  • Bưu kiện:DFN5*6-8
  • Sản phẩm mùa hè:Điện áp của WSD30L88DN56 MOSFET là -30V, dòng điện là-49A, điện trở là 11,5mΩ, kênh là kênh P kép và gói là DFN5*6-8.
  • Ứng dụng:Thuốc lá điện tử, sạc không dây, động cơ, máy bay không người lái, chăm sóc y tế, bộ sạc xe hơi, bộ điều khiển, sản phẩm kỹ thuật số, thiết bị gia dụng nhỏ, điện tử tiêu dùng.
  • Chi tiết sản phẩm

    Ứng dụng

    Thẻ sản phẩm

    Mô tả chung

    WSD30L88DN56 là MOSFET P-Ch kép hiệu suất cao nhất với mật độ tế bào cực cao, cung cấp RDSON và điện tích cổng tuyệt vời cho hầu hết các ứng dụng bộ chuyển đổi Buck đồng bộ. WSD30L88DN56 đáp ứng yêu cầu về Sản phẩm Xanh và RoHS. Đảm bảo 100% EAS với độ tin cậy đầy đủ chức năng đã được phê duyệt.

    Đặc trưng

    Công nghệ rãnh mật độ tế bào cao tiên tiến, Sạc cổng siêu thấp, Giảm hiệu ứng CdV/dt tuyệt vời, Đảm bảo 100% EAS, Có sẵn thiết bị xanh.

    Ứng dụng

    Đồng bộ điểm tải tần số cao, Bộ chuyển đổi Buck cho MB/NB/UMPC/VGA, Kết nối hệ thống nguồn DC-DC, Công tắc tải, Thuốc lá điện tử, sạc không dây, động cơ, máy bay không người lái, chăm sóc y tế, bộ sạc xe hơi, bộ điều khiển, kỹ thuật số sản phẩm, đồ gia dụng nhỏ, điện tử tiêu dùng.

    số vật liệu tương ứng

    AOS

    Thông số quan trọng

    Biểu tượng tham số Đánh giá Đơn vị
    VDS Điện áp nguồn xả -30 V
    VGS Điện áp nguồn cổng ±20 V
    ID@TC=25oC Dòng xả liên tục, VGS @ -10V1 -49 A
    ID@TC=100oC Dòng xả liên tục, VGS @ -10V1 -23 A
    IDM Dòng xả xung2 -120 A
    EAS Năng lượng tuyết lở xung đơn3 68 mJ
    PD@TC=25oC Tổng công suất tiêu tán4 40 W
    TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 150 oC
    TJ Phạm vi nhiệt độ giao lộ vận hành -55 đến 150 oC

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi